X-band low phase noise mmic vco & high power mmic spdt design
X-bant düşük faz gürültülü vco & yüksek güçlü spdt tasarımı
- Tez No: 360671
- Danışmanlar: PROF. DR. EKMEL ÖZBAY, DR. TARIK REYHAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Düşük faz gürültülü osilatörler resonatör devresinin bant genişliği ile karşılaştırıldığında genellikle daha dar bir banda sahiptirler. Doğru bir topoloji ve uygun devre elemanları ile bu sorun çözülebilmektedir. Galyum Arsenit (GaAs) temelli HBT' nin base ucuna bir bobin eklenerek elde edilen yapı ile uygun bir resonans devresi sayesinde bant genişliğini kısıtlayan devre elemanlarının etkisi en aza indirilebilmektedir. Bu yapı ile tasarlanan VCO ile 8.8-11.4 GHz aralığında 9-13 dBm çıkış gücünde, 1 MHz ofsette -117 dBc/Hz faz gürültüsü elde edilmiştir. Tezin ikinci kısmı ise Single Pole Double Throw (SPDT) RF anahtar tasarımından oluşmaktadır. Mesa dirençlerinden SPDT üretimine kadar tüm işlemler Bilkent Üniversitesi NANOTAM' da Silikon Karbid (SiC) üzerine Galyum Nitrat (GaN) işlemi kullanılarak üretilmiştir. Öncelikle anahtarlama transistörleri üretilerek SPDT tasarımı yapabilmek için model çıkarılmıştır. Bu model ile üretilen anahtar yapıları DC-12 GHz aralığında 1.4 dB' den az araya girme kaybı (IL), -20 dB' den iyi yalıtım ve en kötü durumda 14.5 dB geriye dönüş kaybı ile çalışabilmektedir. Ayrıca 10 GHz' de sürekli sinyal altında 0.2 dB' den az kompresyon ile 40 dBm' lik çıkış verebilmektedir.
Özet (Çeviri)
Generally the tuning bandwidth (BW) of a VCO is smaller than the tuning BW of the resonant circuit itself. Using proper components with right topology can handle this problem. In order to overcome this problem and improve the tuning BW of the VCO, common-base inductive feedback topology with Gallium Arsenide (GaAs) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) is used and an optimized topology for tank circuit is selected to minimize the effect of bandwidth limiting components. Designed VCO with this topology achived -117 dBc/Hz at 1 MHz offset phase noise with 9-13 dBm output power between 8.8-11.4 GHz band. Second part of the thesis composed of Single Pole Double Throw (SPDT) RF Switch design. From mesa resistors to SPDT fabrication, everything is fabricated using Bilkent University NANOTAM Gallium Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. Switching HEMTs are fabricated to generate a model to design SPDTs and the final design works between DC-12 GHz with less than 1.4 dB insertion loss (IL), -20 dB isolation and 14.5 dB return loss (RL) at worst case. The power handling of the switches are better than 40 dBm at output with 0.2 dB compression, which is measured with continuous wave (CW) signal at 10 GHz.
Benzer Tezler
- SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays
X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri
TOLGA DİNÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Design and development of GaN amplifiers for transceiver applications
Alıcı-verici uygulamaları için GaN yükselteclerinin tasarımı ve geliştirilmesi
MUHAMMAD IMRAN NAWAZ
Doktora
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- A wideband single-channel receiver front-end for C/X/Ku/Ka-band SATCOM systems
C/X/Ku/Ka-bant SATCOM sistemleri için geniş bant tekkanallı alıcı ön ucu
TAHSİN ALPER ÖZKAN
Doktora
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Bidirectional low noise X to K band sige bicmos T/R module core chip and a novel KU band reflection type phase shifter with full 360° phase shift range
Çift yönlü düşük gürültü X'den K bandına sige bicmos T/R modül çekirdek çipi ve yeni bir KU band yansıma tipi tam 360° faz kaydırma aralığına sahip faz değiştirici
CENGİZHAN KANA
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- SiGe BiCMOS ICs for X-Band 7-bit T/R module with high precision amplitude and phase control
X-Band yüksek hassasiyetli Faz/Genlik Kontrollü 7-bit Alıcı/Verici Modülü için SiGe BiCMOS tümleşik devreler
MURAT DAVULCU
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ