Electrical properties of silicide I silicon diodes
Silisid isilisyum iyotların elektriksel özellikleri
- Tez No: 35595
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisitler, Schottky engel yüksekliği, Kızılötesi detektörler, Buharlaştırma, Çığılama, Diyodlar, Elektriksel özellikler, Silisid, Silisyum, Silicides, Schottky barrier height, Infrared detectors, Evaporation, Sputtering, Diodes, Electrical properties, Silicide, Silicon
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZ SİLİSİD/SİLİSYUM DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ AKMAN, Nurten Master Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN Ağustos, 1994, 123 sayfa. İV- tipi ve p- tipi silisyum üzerine oluşturulan ve teknolojik önemi olan bazı sil- isid/silicon diyotlarm elektriksel özellikleri incelendi. Akım- gerilim, sığa- gerilim ve aktif enerji ölçümleri kullanılarak bu diyotların engel yükseklikleri ve diyot kalite faktörleri incelendi. Üretilen CrSi2İSi, Pd.2Si/Si, PtSi/Si diyotlarının çoğu ideal'e yakın özellikler gösterdi. İdeal durumdan sapmalar incelendi ve tartışıldı. Özellikle, 3-5 um lik atmosfer penceresinde termal resimleme uygulamalarında kızılötesi ışık detektörü olarak kullanılan PtSi/Si diyotları mükemmel karakteristikler sergiledi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICIDE/SILICON DIODES AKMAN, Nurten M.S. in Physics Supervisor: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN August, 1994, 123 pages. Electrical properties of some technologically important silicide/silicon diodes formed on both n- type and p- type silicon have been investigated. The barrier heights and diode ideality factors of the diodes manufactured by these silicides have been evaluated by several measurement techniques such as current- voltage mea surement, capacitance- voltage measurement and activation energy measurement. The Schottky diodes, CrSiz/Si, Pd^Si/Si, and PtSi/Si, showed near ideal char acteristics in most cases. Deviations from the ideality have been analysed and discussed. In particular the PtSi/Si diodes, which is used as an infrared detector in the 3-5 pm atmospheric window for the thermal imaging applications, showed excellent diode characteristics.
Benzer Tezler
- Sb katkılı Bİ2-x Pbx Sr2 Ca2 Cu3 O10+x üstüniletken kalın filmlerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of Sb doped Bi2-x Pbx Sr2 Ca2 Cu3 O10+x superconducting thick films
MEHMET ZEKİ İNCE
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECDET BAŞTÜRK
- CulnSe2-GaAs eklemlerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of CulnSe2-GaAs junctions
BANU SÜNGÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Biyolojik dokuların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve elektromagnetik enerjinin medikal uygulama alanları
Başlık çevirisi yok
KEMALETTİN ÜZEL
- Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The Electrical properties of metal-prous silicon junctions
SUNA ÖZTEMEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Çinko oksit yarıiletken bileşiğin elektriksel ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of zinc oxide semiconductor component
OSMAN AKKOYUNLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR