Geri Dön

Synthesis and electrical characterization of bismuth ferrite thin films

Bızmut ferrıt ince fılmlerın sentezı ve elektrksel karakterızasyonu

  1. Tez No: 348692
  2. Yazar: HAMİDREZA KHASSAF
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İ. BURÇ MISIRLIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Sabancı Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Eğitimi Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Saf ve farklı oranlarda Gd katkılı BiFeO3 sentezi metalorganik bir metot ile gerçekleştirilmiştir. Yarı-epitaksiyel (kolonsal) BiFeO3 filmler SrTiO3 altlıklar üzerinde büyütülmüştür. %5 ve %10 Gd katkılı BiFeO3 tabakasına sahip Nb:SrTiO3-BiFeO3-Pt yapısının iletim özellikleri akım-voltaj ölçümleri ile farklı sıcaklıklarda belirlenmiştir. Numunelerin Pt üzerinde negative voltajda ve pozitif voltajdaki akım davranışından bir diyot gibi davrandıkları ortaya konmuştur. Eşik enerjisi negative voltajda arayüzeydeki yük girişi Schottky benzeri termoiyonik emisyon ile belirlenen ve takip eden sürüklenme davranışı da iç kısımlar tarafından control edilen bir mekanizma düşünülerek bulunmuştur. Arayüzeydeki eşik enerjisinin Gd katkısına bağlı olduğu tespit edilmiştir ve katkısız filmler için bu değer 0.32 eV, 5% katkı için 0.45 eV ve 10% katkı için de 0.60 eV olarak hesaplanmıştır. Gözlemlenen davranış Bi boşluklarına bağlı meydana gelen p-tipi iletkenliğin Gd katkısı ile kompanse edilmesi şeklinde açıklanmıştır. Katkı miktarı arttıkça Fermi seviyesi de yukarı doğru çıkmakta ve electron boşlukları için eşik enerjisini yükseltmektedir.

Özet (Çeviri)

Pure single phase BiFeO3 and Gd doped BiFeO3 with different Gd doping levels were synthesized through a metalorganic route. Quasi-epitaxial (columnar) BiFeO3 films were fabricated on the top of SrTiO3 substrates with preferred orientation. The rectifying properties of Nb:SrTiO3-BiFeO3-Pt structures, in which the BiFeO3 layer was doped with Gd (0 %; 5 %; and 10 %), were investigated by measuring current-voltage characteristic at different temperatures. It was found that the structures show a diode-like behavior with reverse bias for negative polarity and forward bias for positive polarity applied on the top Pt contact. The potential barrier was estimated for negative polarity assuming a Shottky-like thermionic emission with injection controlled by the interface and the drift controlled by the bulk. It was found that the height of the potential barrier is dependent on the Gd doping, being 0.32 eV for zero doping, 0.45 eV for 5 % doping and 0.60 eV for 10 % doping. The result is explained by the partial compensation of the p-type conduction induced by Bi volatility with Gd doping. The Fermi level moves upward as the doping concentration increases leading to a higher potential barrier for holes.

Benzer Tezler

  1. Pechini yöntemi ile lityum niyobat sentezi ve karakterizasyonun incelenmesi

    Investigation of lithium niobate synthesis and characterization via Pechini method

    PINAR İŞAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MELEK TÜTER

  2. Terbiyum peroksit katkılanmış bizmut trioksit polimorflarının sentezlenmesi, karakterizasyonu ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Electrical properties and crystallographic characterisation of Tb4O7 doped Bi2O3 polymorphs

    MURAT DEMİREL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ARI

  3. Katkılı yarı iletken alaşımların yapısal analizlerinin karakterizasyonu

    Characterization of structural analyses of doped semiconductor alloys

    BURCU TEKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Kimya MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. EMEK MÖRÖYDOR DERUN

  4. Effect of ion irradiation on properties of doped BI1.5ZN0.92NB1.5O6.92 pyrochlores

    Katkılı BI1.5ZN0.92NB1.5O6.92 piroklor malzemelere iyon radyasyonunun etkisi

    MEHMET YUMAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN MERGEN

  5. Holmiyum oksit ve terbiyum oksit katkılı bizmut oksit üçlü sistemin hazırlanması ve karakterizasyonu

    Preparation and characterization of holmium oxide and terbium oxide doped bismuth oxide ternary system

    BETÜL AKKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. REFİK KAYALI