Saçtırma yöntemiyle elde edilen Co/n-GaP schottky diyotların tavlama ve numune sıcaklığına bağlı elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Co/n-GaP schottky diodes obtained by sputtering method depending on the annealing and sample temperature
- Tez No: 346699
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULMECİT TURUT, DOÇ. DR. NEZİR YILDIRIM
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
400 m kalınlığında ve (222) doğrultusunda büyütülmüş, taşıyıcı yoğunluğu 300 K'de 2,4×1016 cm-3 olan n tipi GaP yarıiletkeni kullanarak Co/n-GaP Nano-Schottky diyotlar oluşturulmuştur. Co metal kontak için DC magnetron sputter (saçtırma) tekniği kullanılmıştır. Yapılan numuneler üç dakika 400?C ve 600?C'de termal tavlama işlemine tabi tutulmuştur. Sıcaklığa bağlı olarak karanlık ortamda 100-320 K aralığında 20 K'lik adımlarla kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) ölçümleri yapılmıştır. Termal tavlama işlemine tabi tutulmuş diyotların XRD analizleri yapılmıştır. Tavlanmadan önce ve sonra numune yüzeyindeki metal tabakanın morfolojisini görmek için atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile yüzey görüntüsü alınmıştır. Oda sıcaklığında alınan akım-gerilim (I-V) ölçümler artan tavlama sıcaklığıyla idealite faktörünün ve seridirencin azaldığını göstermiştir. İdealite faktörünün 400?C tavlamada 1.02 olduğu görülmüştür. Tavlamadan önce ve sonra, ölçüm sıcaklığına bağlı olarak, kapasite-frekans (C-f) ve kondüktans-frekans (G-f) ölçümleri yapılmıştır ve grafikleri çizilmiştir. Bu grafiklerden termal tavlama işlemine tabi tutulan numunelerin arayüzey halleri numune sıcaklığına bağlı olarak hesaplanmış ve karşılaştırmaları yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
Co/n-GaP Nano-Schottky diodes have been fabricated using n type GaP semiconductor that were grown in the direction of (222), had the thickness of 400 m and carrier density of 2,4×1016 cm-3 at 300 K. DC Magnetron sputtering technique has been used for Co metallic contact. The samples have been annealed for three minutes at 400°C ve 600°C. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements of these Schottky diodes have been performed with a temperature step of 20 K in the range of 100-320 K under dark conditions. XRD analyzeses of the devices subjected to thermal annealing process have been investegated. Surface images have been taken with Atomic Force Microscopy (AFM) in order to examine the morphology of the surface of the metal layer before and after the annealing the sample. The current-voltage (I-V) measurements taken at room temperature have shown that the ideality factor and series resistance decrease with the increasing annealing temperature. The ideality factor was found to be 1.02 for sample annealed at 400°C. Before and after annealing, depending on the temperature measurement, the capacitance-frequency (C-f) and conductance-frequency (G-f) have been measured, and graphs have been plotted. The interface states of thermal annealed samples have been calculated and compared depending on sample temperature.
Benzer Tezler
- Structural and electrical characterizations of BiFeO3 thin films and usage in radiation sensors
BiFeO3 ince filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri ve radyasyon sensörü olarak kullanımı
ŞENOL KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Metal katkılı TiO2 ve indirgenmiş grafen oksit temelli elektrotlar kullanılarak boya duyarlı güneş hücrelerinin üretilmesi, karakterizasyonu ve performanslarının incelenmesi
Production, characterization, and performance investigation of dye-sensitized solar cells using metal-doped TiO2 and reduced graphene oxi̇de-based electrodes
BERRAK ÇALIŞKAN
Doktora
Türkçe
2024
Kimya MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENES ŞAYAN
DR. ÖĞR. ÜYESİ ERDAL İĞMAN
- Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature
KADİR EJDERHA
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Production of amorphous silicon /p-type crystalline silicon heterojunction solar cells by sputtering and PECVD methods
Amorf silisyum/p-tipi kristal silisyum heteroeklem güneş gözelerinin saçtırma ve PECVD tekniği ile üretilmesi
ZEYNEP DENİZ EYGİ
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- RF saçtırma yöntemiyle üretilmiş MgF2 ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical properties of MgF2 thin films produced by RF scattering method
ERKAN AYKUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEYFETTİN ÇAKMAK