Geri Dön

Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitör uygulaması

Fabrication of multilayer Ge, SiGe nanocrystals and it? s application in dot mos capacitor

PDF İndir

  1. Tez No: 343947
  2. Yazar: BEKTAŞ AKYAZI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEDAT AĞAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Germanyum, Nanokristaller, Nanoteknoloji, X ışını kırınımı, Germanium, Nanocrystals, Nanotechnology, X ray diffraction
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

SiGeO içeren bir yapı yüksek sıcaklıkta tavlandığında Ge atomları bu yapıdan ayrılırlar ve sistemde bir yandan oluşmaya devam eden SiOx içerisinde bir araya gelerek kristal yapıyı oluştururlar. Bu tez de bu fikirden yararlanılarak nanokristal oluşturulmuştur. Farklı gaz akış miktarları, tavlama sıcaklıkları ve süreleri kullanılarak Ge naokristal oluşumundaki değişimler gözlemlenmiştir. (1,2) Amorf ince filmler Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama (PECVD) tekniği ile büyütülmüştür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanarak nanokristaller elde edilmiştir. Oluşturulan kristallerin kristallenme özellikleri, Raman Spektroskopisi kullanılarak kontrol edilmiştir. Nanokristal boyutları X-ışını Kırınımı (XRD) ile gözlemlenmiştir. Malzeme kompozisyonu ise Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) üzerinde bulunan X-ışını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile ortaya konulmuştur.Metal Oksit Yarıiletken Kapasitör' ün oksit tabakasına gömülmüş nanokristallerin üretilme amacı; Ge kuantum noktalarının şarj tutma özellikleri incelemektir. Nanokrsitallerin şarj oldukları akım-gerilim (I-V) eğrilerindeki ani artışlarla gözlemlenmiştir. Ayrıca şarj kapasiteleri de kapasitans-gerilim (C-V) eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerdeki en fazla kayma 0,52 V olarak bulunmuştur. Omik kontak direnci ise Geçirgen Çizgi Methodu (TLM) kullanılarak ölçülmüştür.

Özet (Çeviri)

When a SiGeO structure annealed at high temperature, Ge atoms segregate from the structure and pile up at the oxide/substrate interface. In this thesis, this idea has been used to grow nanocrystals. Different gas flow rates, annealing temperatures and times were used for understanding the nanostructures? characteristics. Amorphous thin films were grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)system. Then, films are annealed at the high temperature furnace. The crystallinity of Ge nanodots have been checked with Raman spectroscopy. X-ray diffraction (XRD) has been used to observe the size of the nanostructures. Composition of the elements of the structures were analysised by Scanning Electron Microscopy (SEM) which has a got an Energy-dispersive X-ray (EDAX) dedector.The Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitors (MOS-Cs) with Genanocrystals embedded in oxide have been fabricated to investigate the charge trapping effect of Ge nanocrystals. A current spike phenomenon in I-V curve has been observed. This was ascribed to the transient current of hole charging from p-type Si substrate. In addition, the hysteresis phenomenon has also been observed in C-V measurement. This indicated that the charge storage effect resulted from the formed Ge nanocrystals. The highest obtainable memory window with multilayer Ge nanocrystals was 0,52 V. The resisstant of the ohmic contact has been measured by Transmission Line Method (TLM).

Benzer Tezler

  1. Tez No

    297047

    Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  2. Tez No

    425866

    Seyreltik manyetik yarı iletken malzemelerin sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    The characterizating and synthesizing of dilute magnetic semiconductor materials

    BAYRAM YEŞİLBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ

  3. Tez No

    656201

    Element yüklenmiş grafen yapılarının özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ile incelenmesi

    Investigation of the properties of elements doped graphene structures by density functional theory (DFT)

    NAZMİYE SERİNÇAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Kimya MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET FERDİ FELLAH

  4. Tez No

    201

    Çimentonun sertleşmesi üzerinde kimyasal komponentlerin etkisi

    Başlık çevirisi yok

    NACİYE TÜRKEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Kimya MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA CEBE

  5. Tez No

    401

    Antakya tarihi ticaret merkezi mekansal yapı değişim ve gelişim sürecinin kent ticaret merkezi planlamasına etkinliği

    The Effectiveness of spatial structural chance and development period of the historical trade center of Antakya in the urban trade planning

    NEVİN TURGUT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Şehircilik ve Bölge PlanlamaGazi Üniversitesi

    Şehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NURCAN UYDAŞ

Geri Dön