Au/n-4H-SiC (MS) schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi
The preparation of Au/n-4H-SiC (MS) schottky diodes and the investigation their electrical characteristicsas function of frequency
- Tez No: 343671
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Au/n-4HSiC (MS) Schottky engel diyotları hazırlandı ve bunların temel elektriksel karekteristikleri oda sıcaklığında frekansa bağlı kapasitans/iletkenlik-voltaj (C-V ve G/w-V) verileri kullanılarak incelendi. Katkılanan verici atomların (ND) yoğunluğu, Fermi enerji seviyesi (EF), ve potansiyel engel (?b(C-V)) yüksekliği değerleri geniş bir frekans aralığında (0,7 kHz-1MHz) ölçülen ters gerilimdeki C-2-V eğrilerinden elde edildi. Hem C hem de G/w değerleri oldukça frekansa bağlı olup artan frekansla üstel olarak azalmaktadır. C ve G/w değerlerinde özellikle tüketim bölgesindeki bu değişiklikler, metal yarıiletken arasında yerleşmiş olan arayüzey durumlarının (Nss) varlığına atfedildi. Seri direnç (Rs)-logf grafiği, C ve G/w değerleri kullanılarak elde edildi ve artan frekansla azaldığı gözlendi. Yüksek-düşük frekans kapasitans (CHF-CLF)değerleri kullanılarak elde edilen Nss-V grafiğinde bir pik gözlendi. Özellikle yüksek frekanslardaki C-V eğrilerinde ileri voltajlarda gözlenen bükülme Rs değerine atfedildi.
Özet (Çeviri)
In this study, Au/n-type 4H-SiC Schottky diodes were fabricated and their main electrical characteristics have been investigated as function of frequency by using the capacitance/conductance-voltage (C-V and G/w-V) measurements at room temperature. The doping density of donor atoms (ND), Fermi energy level (EF), and barrier height (?b(C-V)) values were obtained from the reverse bias C-2-V plots in the wide frequency range of 0,7 kHz-1MHz. Both C and G/w values were found as strongly function of frequency and decrease with increasing frequency as almost exponential. The changes in C and G/w values in depletion region were attributed to the particular density distribution of surface states (Nss) between metal and semiconductor. The series resistance (Rs)-logf plots were also obtained by using the C and G/w data and decreases with increasing frequency. The voltage dependent of Nss was also obtained from high-low frequency capacitance (CHF-CLF) method and shows a peak. Especially the concave curvature in high frequency C-V plots for forward biases was attributed to the value of Rs.
Benzer Tezler
- Cam ve plastik seraların sonbahar domates üretimi yönünden karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
ERGUN DURAN
- Türkiye Demiryolu Makinaları Sanayi Anonim Şirketi'nin örgütsel sosyoloji açısından değerlendirilmesi
Başlık çevirisi yok
M. SERDAR KARAMANOĞLU
- İmara ilişkin bağışlamaların gelişimi ve değerlendirilmesi
Evoution et evaluation des amnisties concernant le constructions et le development du territoire
AHMET LÜTFİ UZEL
Doktora
Türkçe
1986
Şehircilik ve Bölge PlanlamaGazi ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İBRAHİM BOYNUKALIN
- 5 Cl Pu-Be nötron kaynağı kullanarak aktivasyon analizi ile analizi mümkün olan elementlerin dedeksiyon limitlerinin tespiti
Investigation of the possibility in analysis of elements by activation analysis and determination of detection limits of proposed elements using a 5 Cl Pu-Be neutron source
İSMET ÇELENK
- Balıkesir tavukçuluk işletmelerinin yapısal özellikleri üzerinde bir inceleme
Başlık çevirisi yok
MEHMET TOSUN