A band selecting UHF class-AB GaN power amplifier with 40 dBm output power
Bant seçebilen UHF AB-sınıfı GaN 40dBm çıkış güçlü güç yükselteci
- Tez No: 335612
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Galyum nitrür, Mikrodalga güç yükselticiler, Gallium nitride, Microwave power amplifier
- Yıl: 2013
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
UHF band ı, GSM haberle şme, uydu haberleşme, televizyon yayı nı , frekans atlayan radyolar, ileri mod ulasyon teknikleri kullanan radyolar taraf ndan kullanılan bir bantt ır. Heruygulaman ın kendine has ozellikleri, bununla beraber gerekleri vard ır ve g ünümüzdeki modern uygulamalar, çeşitli frekans bantlar ını n birarada kullanı lması yla hayata ge çmektedir. Bu calışmada bant se çebilen uhf ab sı nı f GaN 40dBm çıkış g üçlü g üç y ükselteci tasarlanm ış ve uretilmi ştir. Bu s üre çte Galyum Nitrat transist örler ve PIN diyotlar kullanı lmı şt ır. G üc y ükselteci, 1350MHz-2700MHz bir-oktav frekans band nı nda ayarlanabilmekte, 17dB maksimum kazanca sahip olmakta ve sat üre g üç çıkışı olarak 41dBm verebilmektedir.
Özet (Çeviri)
Ultra High Frequency (UHF) band is used for GSM communication, satellite systems, television broadcast, frequency hopping radios, software de ned radios using advanced digital modulations. Each and every application would require various speci cations and these modern applications require various frequency bands. In this work, a band selecting uhf class-ab GaN power ampli er with 40 dBm output power is built using a GaN-HEMT transistors and PIN diodes. The power ampli er can be tuned in 1350MHz{2700MHz one-octave frqeuency band, has a maximum gain of 17dB, and a maximum saturated output power of 41 dBm.
Benzer Tezler
- GaAs pHEMT class-E power amplifier design
GaAs pHEMT E-sınıfı güç küvvetlendirici tasarımı
BEHNOOSH MESKOOB
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
ÖĞR. GÖR. HASAN BÜLENT YAĞCI
- Televizyon reklamlarının çocuklar üzerindeki etkileri
The Effects of television advertising on children
DİLEK SAĞLAM
- Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı
High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology
HİLAL HİLYE CANBEY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI
- Integration and testing of the RFID-enabled smart factory
RFID-etkin akıllı fabrikanın entegrasyonu ve test edilmesi
İSMAİL AKDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİzmir Katip Çelebi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADNAN KAYA
- Wide tunable bandpass filter design based on CMOS active inductor
CMOS aktif endüktans tabanlı geniş aralıkta ayarlanabilir band geçiren filtre tasarımı
ABDULLAH SUNÇA
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZHAN ÇİÇEKOĞLU