Geri Dön

CuInSe2 yarı iletkeninin elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky yapısının I-V(Akım-Gerilim) ve C-V(Kapasite Gerilim) ölçümleri ile karakterizasyonu

Growth of the CuInSe2 semiconductor with electrochemical deposition technique and characterization of the Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky structure I-V (Current-Voltage) and C-V (Capacitance-Voltage) measurements

PDF İndir

  1. Tez No: 335074
  2. Yazar: ADEM AKDAĞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CEVDET COŞKUN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 270 ?m kalınlığına ve 1-10 ?-cm özdirencine sahip p-tipi Si kristali kullanıldı. Omik kontak için kristalin mat yüzeyine termal buharlaştırma ile Al metali diğer yüzeyine bir adımda elektrokimyasal olarak CuInSe2 büyütüldü ve üzerine de 10-5 Torr basınçta Au metali buharlaştırıldı. Böylece elde edilen Au/CuInSe2/p-Si/Al yapının oda sıcaklığından başlayarak yaklaşık 400 K sıcaklığına kadar 20 K adımlarla sıcaklığa bağlı (300K-400K) I-V ve C-V ölçümleri alındı. Sıcaklığa bağlı bu ölçümlerden elde edilen deneysel veriler yardımıyla I-V grafiklerinden engel yükseklikleri, idealite faktörleri bulundu. Yine I-V karakteristikleri yardımıyla Cheung ve Norde fonksiyonları kullanılarak sıcaklığa bağlı idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görüldü. Elde edilen I-V karakteristikleri yardımıyla engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla arttığı, idealite faktörünün ise azaldığı görüldü. Bu durum arayüzey hallerine atfedildi. Au/CuInSe2/p-Si/Al diyodunun 500 kHz ve 1000 kHz frekans değerlerinde, sıcaklığa bağlı C-V ölçümleri alındı ve difüzyon potansiyelleri, Fermi enerji seviyesi değerleri ve engel yükseklikleri değerleri elde edildi. nahtar Kelimeler: Schottky Kontak, CuInSe2, Elektrokimyasal Büyütme

Özet (Çeviri)

In this study, p-Si wafer with [100] orientation, 270 ?m thickness and 1-10 ?-cm resistivity was used. Al metal was evaporated onto the mat face of p-Si as ohmic contact electrode. CuInSe2 was electrodeposited onto the bright face of the wafer and at 10-5 Torr in one-step and then Au was evaporated onto the semiconductor thin film. And then, the I-V and C-V measurements of the Au/CuInSe2/p-Si/Al structure were obtained from 300 K to 400 K in step of 20 K. Using experimental data, required graphics were plotted dependent on temperature. Barrier heights and ideality factors were calculated from I-V characteristics. It was seen that the ideality factors were decreased and the barrier heights were increased with increasing temperature. This finding was attributed to the barrier interface states. Beside, barrier heights, ideality factors and series resistances calculated from Cheung and Norde functions using I-V characteristics dependent on temperature. It was seen that, the value of series resistance decreased with increasing temperature. C-V measurements of the Au/CuInSe2/p-Si/Al were perforrmed at all temperatures at 500 kHz and 1MHz. C-V graphics were plotted dependent on temperature and frequency. The diffusion potentials, Fermi levels and barrier heights were calculated from C-V characteristics. eywords: Schottky contact, CuInSe2 , Electrochemical Growth.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    67377

    İnce film CuInSe2 bileşik yarıiletkenlerin fiziksel özellikleri

    Physical properties of CuInSe2 compound semiconductor thin films

    ÖMER FARUK YÜKSEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HALDUN KARABIYIK

  2. Tez No

    123482

    Ab initio calculations on electronic and lattice dynamical properties of CuInSe2 and CuInS2

    CuInSe2 ve CuInS2'ün elektronik ve örgü dinamiği özellikleri üzerine ab initio hesaplamalar

    CİHAN PARLAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. RESUL ERYİĞİT

  3. Tez No

    646115

    Fiziksel buhar biriktirme yöntemi ve doktor blade kaplama tekniği ile üretilen CuInSe2 ince filmlerin özelliklerinin araştırılması

    Investigation of properties of CuInSe2 thin films produced by physical vapor deposition method and doctor blade coating technique

    CANSU AYTUĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KORAY YILMAZ

  4. Tez No

    869455

    THERMOCHEMISTRY AND PHASE DIAGRAM STUDIES IN THE Cu-In-Ga-SeSYSTEM

    Cu-In-Ga-Se Sisteminde Termokimya ve Faz Diyagramı Çalışmaları

    MUHSİN İDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Kimya MühendisliğiUnıversıty Of Florıda

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TİMOTHY J. ANDERSON

  5. Tez No

    501192

    Cu(InGa)Se2 (CIGS) ince filmlerin termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of Cu(InGa)Se2 (CIGS) thin films by thermal evaporation method

    CELAL ALP YAVRU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MURAT KALELİ

Geri Dön