GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi
Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique
- Tez No: 335072
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: GaSe:In, Kristal Büyütme, XRD, SEM, EDX, GaSe:In, Crystal Growth, XRD, SEM, EDX
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Nano teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin önemi giderek artmaktadır. Ancak, kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanının geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanları çok olan ve karakteristikleri tam olarak belirlenen yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. Güneş enerjisinin depolanması ve kullanılmasında çalışılan başlıca malzemeler arasında yarıiletkenler yer almaktadır. Tezin temel konusu, GaSe:In yarıiletken bileşiğini Bridgman/Stockbarger Metoduyla büyütmek, büyütülen GaSe:In yarıiletkenin yapısal özelliklerini incelemektir. GaSe:In yarıiletken bileşiği, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütüldü. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirildi. XRD sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve In katkılamanın pik şiddetlerini arttırdığını gösterdi. XRD sonuçları kullanılarak, örgü parametreleri GaSe:In için a=b=3,749 (Å), c=15,944 (Å) olarak hesaplandı. XRD sonuçlarından (004), kristal büyüklüğü (3,986 Å), zorlanma derecesi (6,55x10-4 lin-2m-4) and dislokasyon yoğunluğu (4,8830x1014 lin m-2) and birim alan başına kristal sayısı (3,23x1017m-2) değerleri hesaplandı. SEM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün GaSe:In için 41,746-89,365 nm aralığında olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
The importance of semiconductors paving the way for nano technology has recently been increased. But, producing them easily and having their vast application fields are most important. For that reason, the crystals having wide application field and their characteristics which are fully determinated are needed. The main topic of this thesis is to grow GaSe:In single crystals by Modified Bridgman/Stockbarger method and to investiage their structural properties. GaSe:In binary semiconductor compound was grown in our crystal growth laboratory by the modified Bridgman-Stockbarger method. The structural and morphological characterizations of the samples were carried out by X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDX) techniques. The XRD results indicated that the grown films had hexzagonal structure and In doping increased the peak intensities. The lattice parameters were calculated to be a=b=3,749 (Å), c=15,944 (Å) for InSe using the XRD results.The calculated lattice constants was found to be a=b=3,749 Å and c=15,944 Å for InSe using the XRD results. The crystallite size (3,986 Å), residual strain (6,55x10-4 lin-2 m-4) and dislocation density (4,8830x1014lin m-2) and number of crystallites per unit area (3,23x1017m-2) values have been calculated using powder XRD results (004). From the SEM results, it was observed that the average grain size values for GaSe:In was between 41,746-89,365 nm.
Benzer Tezler
- Optical properties of group III-nitride thin films grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
Oyuk katot plazma destekli atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülen grup III-nitrür ince filmlerinin optik özellikleri
NEŞE GÜNGÖR
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ALEVLİ
- Fonksiyonel ferrosenil naftakinon ve çinko ftalosiyanin bileşiklerine dayalı voltametrik be2+ iyon sensörlerinin geliştirilmesi
Development of voltammetric be2+ ion sensors based on functional ferrocenyl naftaquinone and zinc phthalocyanine compounds
SEÇİL KIRLANGIÇ ATAŞEN
- Sülfürlü ve oksitli bileşiklerden ergimiş tuz elektrolizi ile bakır ve alaşımlarının direkt sentezi
Direct synthesis of copper and copper alloys from sulfide/oxide compounds via molten salt electrolysis
LEVENT KARTAL
Doktora
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR
- Tavuk etinde antibiyotik kalıntılarının HPLC yöntemiyle belirlenmesi
Determination of antibiotic residues in chicken meat by HPLC method
TUĞBA YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BİRSEN DEMİRATA ÖZTÜRK
- Synthesis of alon, MgAlON and MgAl2O4 powders using thermo-chemical method
Termo-kimyasal yöntemle alon, MgAlON ve MgAl2O4 toz üretimi
HAMZA BOUSSEBHA
Doktora
İngilizce
2023
Metalurji MühendisliğiSakarya ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ OSMAN KURT