Geri Dön

Elektronik transport mekanizmalarının pulslu ölçüm teknikleri ile incelenmesi

Investigation of the electronic transport mechanisms by using pulsed measurement techniques

PDF İndir

  1. Tez No: 334860
  2. Yazar: SELMAN MUTLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ENGİN TIRAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Heteroeklem, kuantum kuyu, yüksek elektrik alan iletim mekanizmaları, sıcak elektronlar, güç kaybı, Kuantum kuyusu, Heterojunction, quantum well, high electric field transport mechanism, hot electrons, power loss
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

AlGaN/AlN/GaN ve AlInN/AlN/GaN heteroeklem örnekler Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) tekniğiyle, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN ve InGaN/GaN örnekler Molecular Beam Epitaxy (MBE) tekniğiyle büyütülen örneklerde pulslu akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı.Pulslu akım-gerilim ölçümleri 1,7-300 K aralığında 50 K adımlarla yapıldı. Bu ölçümlerde 200 ns puls genişliğinde 0-200 V aralığında pulslu voltajlar uygulandı. Elektronların elektrik alan altındaki sürüklenme hızı, mobilitesi ve elektron başına güç kayıpları elde edildi. AlGaN/AlN/GaN ve AlInN/AlN/GaN heteroeklem örneklerde güç kaybı mekanizmaları mobilitenin karşılaştırılması yöntemi kullanılarak elde edildi. Elektron başına güç kaybının sıcaklıkla değişimi kuramsal modeller ile karşılaştırıldı. Yüksek elektron sıcaklıklarında enerji durulmasının optik fonon emisyonu ile gerçekleştiği sonucuna varıldı.

Özet (Çeviri)

The pulsed current-voltage (I-V) measurements were performed in AlGaN/AlN/GaN, AlInN/AlN/GaN, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN, and InGaN/GaN samples. The AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN heterostructure samples were grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN, and InGaN/GaN samples were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique.The pulsed current-voltage measurements were carried out in the temperature range between 1.7 and 300 K, in steps of 50 K. The pulsed voltages up to 200 V with pulse width up to 200 ns were applied to samples in the measurements. The drift velocity, electron mobility and electric field dependent power loss per electron were determined from the analysis of the results. The temperature dependent power loss per electron were also determined using the mobility comparison method. The results of the temperature dependent power loss per electron were compared with current theoretical models in the literature. It was indicated that, the electron energy relaxation time were limited by optical phonons at high temperatures.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    786595

    Bizmut içeren III-V grubu yarıiletkenlerde elektronik transport mekanizmalarının incelenmesi

    Investigation of electronic transport mechanisms in bismuth-containing III-V group semiconductors

    MUSTAFA AYDIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER DÖNMEZ

  2. Tez No

    123423

    In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması

    Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique

    ENGİN TIRAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN

  3. Tez No

    155480

    GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) çoklu kuantum kuyuların elektronik özellikleri ve sıcak elektron güç kaybı mekanizmalarının magnetotransport ölçümlerle incelenmesi

    Investigation of electronic properties and hot electron power loss mechanisms in GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) multiple quantum wells by magnetotransport measurements

    ENGİN ARSLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MEHMET CANKURTARAN

  4. Tez No

    723393

    Nesnelerin interneti: Veri hesaplama tekniklerinde güvenlik entegrasyon çalışmaları

    Internet of things: Security integration studies in data computing techniques

    MERVE SÖZEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ ALKUMRU

    DR. FURKAN ÇAYCI

  5. Tez No

    642129

    Saf ve grafen katkılı pva arayüzey tabakalı metal-yarıiletken diyotların akım-iletim mekanizmalarının sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigations of temperature dependent current-transport mechanisms with pure and graphene doped pva interface layer metal-semiconducture diode

    ESRA EVCİN BAYDİLLİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE TECİMER

Geri Dön