Atmosferik ortamda hazırlanan Ag/p-Si Schottky engel diyotun elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Ag/p-Si Schottky diode prepeared in atmospheric condition
- Tez No: 334402
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NEŞE KAVASOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüzler, Elektriksel karakterizasyon, Schottky diyodları, Interfaces, Electrical characterization, Schottky diodes
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada Ag/p-Si aygıtı atmosferik koşullarda üretildi. Üretilen aygıtın elektronik performansının anlaşılabilmesi için sistematik tavlama işlemleri uygulandı. Tavlama işleminin oda sıcaklığındaki aygıt performansına etkisi dc ve ac elektriksel ölçümleri yardımıyla anlaşılmıştır. Karanlık ve atmosferik ortamda yapılan I-V ölçümlerinden ters doyma akımı (I0), diyot faktörü (n) değerleri, potansiyel engeli (?b0), seri direnci (Rs), doğrultma faktörü hesaplanmıştır. Kapasitans-gerilim ölçümlerinden ara yüzey oksit tabaka kalınlığı, potansiyel engeli (V0), katkı yoğunluğu (NA) ve tükenme bölgesi genişliği (WD) hesaplanmıştır. Ac ve dc ölçümlerden elde edilen sonuçlar yardımıyla aygıtın ara yüzey durumları Card-Rhoderick ve Hill-Coleman yöntemleri ile incelenmiştir. Her iki yöntemle bulunan ara yüzey durum yoğunlukları (Nss) birbirleri ile uyumlu çıkmıştır. Yapılan ölçüm ve analizler sonucu 363 K de yapılan tavlama işleminin aygıt parametrelerini iyileştirdiği tespit edilmiştir. Ayrıca Ag/p-Si aygıtının ışığa duyarlılığının tespiti için oda sıcaklığında ışık altında I-V ölçümü gerçekleştirilmiştir. Karanlık ve aydınlık ortamlar arasında aygıttan geçen akımda yaklaşık 2 mertebelik bir değişim gözlenmiştir. Işık altında yapılan ölçümler aygıtın optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir. Yapılan elektronik ölçümler atmosferik koşullarda üretilen Ag/p-Si aygıt yapısının ticari diyotlarla karşılaştırılabilir elektronik özelliklere sahip olduğunu ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, Ag/p-Si device is fabricated at atmospheric conditions. Systematic annealing processes are implemented to understand electronic performance of the device. The effect of annealing processes on the device performance at room temperature are investigated by ac and dc electrical measurements. Reverse saturation current (I0), diode factor (n), barrier height (?b0), series resistance (Rs) and rectification ratio values are calculated using current-voltage (I-V) characteristics. Also, oxide layer thickness at the interfacial between metal and semiconductor, build in potential, doping concentration of the semiconductor, depletion width are calculated by using capaticance-voltage (C-V) characteristics. Interface state densities of the device are analyzed by Card-Rhoderick and Hill-Coleman method in the light of ac and dc analizing results. Card-Rhoderick ve Hill-Coleman methods give consistent results. It is concluded that annealing up to 363 K enhances device parameters. Illuminated I-V measurement is performed for investigation of light responsivity of the device at room temperature. Two order current variation is determined between light and and dark stuations. These measurements showed us investigated device structure has a potential application in optoelectronics. Electrical measurements reveal that fabricated device has electronic properties comparable with commercial diodes.
Benzer Tezler
- Çukurova bölgesinde biyoklimatik veriler kullanılarak açık ve yeşil alan sistemlerinin belirlenmesi ilkeleri üzerinde bir araştırma
A research on the determination of the principles in open and green spaces systems by using the bioclimatic data in Çukurova region
MEHMET FARUK ALTUNKASA
Doktora
Türkçe
1987
Çevre MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiPeyzaj Mimarlığı Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDOĞAN GÜLTEKİN
- Seçilen ekstraktif çözgenin etilasetat-etilalkol azeotropik sistemi üzerine etkisi
Başlık çevirisi yok
NAŞİDE FİDİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Kimya MühendisliğiEge ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDEN ALPAY
- Atmosfer etkisinde kalan metallerin korozyonu
Corrosion of metals under the influence of the atmosphere
ÜMİT ÖZDİLER
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAYRİ YALÇIN
- Kentsel yakın çevre alanlarının rekreasyonel amaçlı düzenleme kararlarını belirleyen etmenler ve Antakya (Hatay) kentsel yakın çevresinde uygulanması
The Faktors defininig the recreational planning of the urban nearby regions and the application at Antakya (Hatay) urban nearby regions
ERDOĞAN YAŞLICA