Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri
Electron And Magnetotransport Investıgatıon Of 2- Dimensional Electron Gas In Ultrathin Barrier Gan- Based Heterostructures
- Tez No: 330685
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, ultraince bariyerli AlInN/GaN ve ultraince bariyerli AlInN/AlN/GaN/AlN yapılarına sahip 4 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 30 ? 300 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 ? 1.4 T manyetik alan altında ölçülmüştür. Hall ölçüm sonuçlarında 2- boyutlu elektron gazı taşıyıcı yoğunlukları ve ilgili hareketlilikler hesaplandı. Sıcaklığa bağımlı Hall ölçüm sonuçları kullanılarak her bir numunenin saçılma analizleri yapıldı. Yapılan saçılma analizleri sonucunda; korelasyon uzunluğu, deformasyon potansiyeli ve kuyu genişliği gibi malzeme ile ilgili parametreler belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, electron and magneto transport properties of 4 different ultrathin barrier AlInN/GaN and AlInN/AlN/GaN/AlN structures were investigated. Resistivities were measured at a temperature of 30 ? 300 K, Hall mobilities and Hall carrier densities were measured at the same temperature range with magnetic field intensities 0 ? 1.4 T. 2 ? dimensional electron gas (2DEG) carrier densities and mobilities are calculated from these measurements. Results of Hall measurements were used to investigate scattering mechanisms of each structure. Also, material related parameters named well width of the quantum well, correlation length and deformation potential were determined with the help of scattering analyses.
Benzer Tezler
- GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors
JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri
Electrical characteristics and scattering analysis of ultrathin barrier GaN-based high electron mobility transistors
MEHMET ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tunnelling induced photon emission from surface/interface systems of graphene on copper
Tünelleme akımıyla indüklenen bakır üstü grafen yüzey/arayüz sistemlerinin foton emisyonu
HAKKI TUNÇ ÇİFTÇİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OĞUZHAN GÜRLÜ
- Mo-N kaplamaların ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterisation of Mo-N coatings by arc physical vapour deposition technique
M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Nb ve V eklenmiş CrYN esaslı fonksiyonel kaplamaların geliştirilmesi: Yapısal ve yüksek sıcaklığın fonksiyonu olarak tribolojik özelliklerin araştırılması
Development of Nb and V added CrYN based functional coatings: Investigation of structural and tribological properties as a function of high temperature
GÖKHAN GÜLTEN
Doktora
Türkçe
2024
Makine MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İHSAN EFEOĞLU