Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs schottky diyotların sıcaklığa bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ni/n-GaAs schottky diode prepared via sputtering
- Tez No: 322549
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İdealite faktörü, Ideality factor
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Serbest taşıyıcı yoğunluğu yaklaşık olarak 7,3x1015 cm-3 olan n-tipi GaAs kristali taban malzeme olarak kullanılıp, Ni/n-GaAs/In Schottky diyotları sputter (saçtırma) tekniği ile üretilmiştir. Üretilen bu diyotların geniş bir sıcaklık aralığında (100-320 K) 20 K'lik adımlarla akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri sıcaklığa bağlı olarak incelenmiştir. Diyot parametreleri olan Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri numune sıcaklığına bağlı olarak doğru belsem I-V karakteristiklerinden hesaplanmıştır ve sonra engel yüksekliği ve idealite faktörünün sıcaklığa bağlı grafikleri çizilmiştir. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliğinin numune sıcaklığı ile azalmasına karşın idealite faktörünün artması engelin yanal inhomojenliğine atfedilmiştir. (C-V) ölçümlerinden C-2-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli, serbest taşıyıcı donor konsantrasyonu, Fermi enerji seviyesi, engel yükseklikleri ve a=-0.88 meV/K'lik bir engel yüksekliği sıcaklık katsayısı hesaplanmıştır. Ayrıca, düşük sıcaklıklarda, termiyonik emisyon akımının, az da olsa, etkin olduğu gözlenmiş ve 10.1 meV'lik bir karakteristik enerji değeri elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
We have reported a study of the I-V characteristics and C-V of Ni/n-GaAs Schottky barrier diodes in a wide temperature range of 100-320 K by a step of 20 K, which are prepared by magnetron DC sputtering. The GaAs semiconductor substrate has a free carrier concentration of 7,3x1015 cm-3. The ideality factor and barrier height values have changed by change of the sample temperature, the case has been attributed to the presence of the lateral inhomogeneities of the barrier height. The ideality factor and barrier height values have changed by change of the sample temperature. The ideality factor decreases and barrier height increases with increase in the temperature. The temperature dependence change has been attributed to the presence of the lateral inhomogeneities of the barrier height. The carrier concentration, diffusion potential, barrier height (BH), Fermi energy level and a BH temperature coefficient of a = -0.88 meV/K. have calculated from temperature dependent C-V-T characteristics. At low temperatures, it has been seen that the junction current is dominated by the TFE. The variation of the BH temperature coefficient from metal to have been correlated to the chemical nature of the contact metal or metal electronegativity
Benzer Tezler
- Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs Schottky engel diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimleri
Effects of sample temperature and thermal annealing on characteristic parameters of sputtered Ni/n-GaAs Schottky barrier diodes
NEZİR YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature
KADİR EJDERHA
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Saçtırma yöntemiyle elde edilen sade ve metil kırmızısı organik arayüzeyli pd/n-si schottky güneş pillerinin elektriksel ve fotovoltaik karakterizasyonu
Electrical and photovoltaic characterization of pd/n-si schottky solar cells with plain and methyl red organic interface obtained by sputtering method
MUHAMMET BIRA ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiArdahan ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HASAN HÜSEYİN ÇOBAN
- Metal katkılı TiO2 ve indirgenmiş grafen oksit temelli elektrotlar kullanılarak boya duyarlı güneş hücrelerinin üretilmesi, karakterizasyonu ve performanslarının incelenmesi
Production, characterization, and performance investigation of dye-sensitized solar cells using metal-doped TiO2 and reduced graphene oxi̇de-based electrodes
BERRAK ÇALIŞKAN
Doktora
Türkçe
2024
Kimya MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENES ŞAYAN
DR. ÖĞR. ÜYESİ ERDAL İĞMAN
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ