Pt/n-InP schottky diyotların elektron radyasyonuna verdiği tepkinin farklı sıcaklık koşullarında araştırılması
Responses of Pt/n-InP schottky diode to electron irradiation in different temperature conditions
- Tez No: 316518
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HATUN KORKUT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ağrı İbrahim Çeçen Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalısmada Pt/n-InP Schottky kontaklarının elektriksel özelliklerinde meydana gelen elektronradyasyonundan kaynaklanan değisimler farklı sıcaklık sartlarında incelendi. Öncelikle InPyarıiletkeni ayrıntıları tezde belirtilen sekilde kimyasal temizleme islemlerine maruz bırakıldı.Daha sonra önceden hazırlanmıs Zn-Au alasımı yarıiletkenin arka yüzüne termal buharlastırmayöntemiyle buharlastırıldı. Bu asamadan sonra düsük dirençli omik kontak elde etmek içinnumune azot gazı akısı altında 300 0C'de 3 dakika kuartz tüp fırında tavlandı. Dairesel formlarhalinde platin metal kontaklar magnetik alanda saçtırma yöntemi kullanılarak tavlanannumunenin ön yüzünde olusturuldu. Daha sonra numune, bir doğrusal elektron hızlandırıcı(LINAC) kullanılarak 12 MeV elektron radyasyonuna maruz bırakıldı. I-V ölçümleri 20, 160,260, 300, 320 ve 400 K sıcaklık kosullarında radyasyondan önce ve sonra alındı. TemelSchottky diyot parametreleri hem I-V-T hem de Norde metodu kullanılarak elde edildi. 160,260, 300, 320 ve 400 K'de diyodun doğru beslem elektriksel karakteristiklerinde pek fazla birdeğisim olmazken 20 K'de küçük bir değisim dikkati çekmektedir. Ters beslem akımı iseradyasyonla birlikte 20, 160, 260, 300, 320 ve 400 K sıcaklıklarının hepsinde artmıstır.
Özet (Çeviri)
Electron irradiation induced electronic properties of Pt/n-InP Schottky diode depending ondifferent temperature conditions were investigated in this study. Firstly n-type InP wafer wasexposed to the chemical cleaning process as described in detail in the thesis. Then pre-preparedZn-Au alloy was evaporated on the back side of the semiconductor by thermal evaporationmethod. After this stage, the sample was annealed 300 0C for 3 minutes under nitrogenatmosphere in a quartz tube furnace to obtain low-resistant ohmic contact. Platinum metalcontacts were formed as circular forms on the front face of the annealed sample by usingmagnetron sputtering technique. Then sample was exposed to 12 MeV electron irradiation byusing a linear electron accelerator (LINAC). I?V measurements were obtained under 20, 160,260, 300, 320 and 400 K temperature conditions before and after irradiation. Basic Schottkydiode parameters were determined by both I-V-T and Norde method. Forward currents for 160,300 and 400 K were not changed very much by irradiation but remarkable change in thecharacteristics were seen only at 20 K slightly. Reverse currents of Pt/n-InP Schottky diodewere increased distinctly at 20, 160, 260, 300, 320 and 400 K by irradiation.
Benzer Tezler
- Metal/Si ve metal/Si1-xGex/Si Schottky bariyer diyotlarının elektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical properties of metal/Si and metal/Si1-xGex/Si Schottky barrier diodes
KADİR ERTÜRK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAİM DEREBAŞI
- Au/4H n-SiC schottky diyotların sıcaklığa bağlı akım iletim mekanizmasının incelenmesi
The investigation of temperature dependence current transmission mechanism of Au/4H n-SiC schottky diodes
DİLARA ŞEME ŞİRİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Farklı fonksiyonel grup bulunduran naftalimit bileşiği ile schottky diyot yapımı ve diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Fabrication of schottky diode with naphthalimide having different functional groups and investigation of its electrical properties
EMİNE KARAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİYA MERDAN
DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- Polipirol/P-Si/Al diyodunun karakteristik parametrelerinin zamana bağlılığı
The Effects of the time-dependent on the characteristics parameters of polypyrrole/P-type Si/Al diode
DEMET KORUCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU