Örgü sabitleri uyusmayan III-V yarıiletken nanotellerinin elektronik ve geometrik özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi
Density functional theory investigation of electronic and geometric properties of the lattice mismatched III-V semiconducting nanowires
- Tez No: 304655
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ, YRD. DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bant yapısı, Elektron yoğunluğu, Elektronik yapı, Elektronik özellikler, Nano yapı, Nanoteknoloji, Nanotel, Yarı iletkenler, Band structure, Electron density, Electronic structure, Electronic properties, Nano structure, Nanotechnology, Nanowire, Semiconductors
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde, örgü sabitleri uyuşmayan III-V yarıiletkenlerinden InAs ve GaAs ile oluşturulan InAs/GaAs nanotel heteroyapılarının elektronik ve geometrik özellikleri incelenmiştir. (001) yönünde büyütülen InAs/GaAs bulk heteroyapıları ve InAs/GaAs nanotel heteroyapıları çalışılmıştır. Bulk heteroyapılar ve nanotel heteroyapıların her ikisi içinde farklı katmanlar çalışılmıştır. İncelenen sistemlerin denge durumu örgü sabitleri, toplam enerjileri, elektrostatik potansiyel eğrileri ve elektronik bant yapıları hesaplanmıştır. Ayrıca bu fiziksel niceliklerin tel yarıçapı ve katman sayısıyla olan ilişkileri incelenmiştir. Nanotel heteroyapılarda yarıçap değerinin artmasıyla denge durumu örgü sabitlerinin artığı gözlenmiştir. Nanotel heteroyapıların 0.9 nanometrenin altındaki yarıçapa sahip olduğu durumlarda örgü yapısındaki bozulmalar dikkati çekmiştir. Buna bağlı olarak elektrostatik potansiyel eğrilerde, InAs ve GaAs farkı gözlenmemiştir. Ancak 0.9 nm ve üzeri yarıçap değerlerine sahip nanotel heteroyapılarda hem örgü yapısı daha düzenli hem de InAs ve GaAs arasındaki potansiyel farkı bulk yapı özelliklerine benzer bir özellik göstermesine karşın bulk yapıdan elde edilen potansiyel farkından daha düşük olduğu anlaşılmıştır. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonsiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı ile gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, we have investigated electronic and geometric properties of InAs/GaAs nanowire heterostructure which made up InAs/GaAs from lattice mismatched III-V semiconductors. InAs/GaAs bulk heterostructures and InAs/GaAs nanowire heterostructures which are growth in the (001) direction have been investigated. We studied the different layers both of bulk heterostructures and nanowire heterostructures. Equilibrium lattice constants, total energies, electrostatic potential curves and electronic band structures of investigated systems have been calculated. Also, the relation between wire radius and layer number of this physical quantities have been carried out. We observed that with increasing of the radius value equilibrium state lattice constant increases. We have noticed that distortions of the lattice structure below the radius of 0.9 nanometers. We have not observed an obvious electrostatic potential difference between InAs and GaAs. Nanowire heterostructures which have 0.9 nm and high value of radius show similar feature both lattice structure which have more regular and between InAs and GaAs potential deference bulk structure properties. However the difference of potential from obtain bulk structure lower. Our calculations have been carried out using plane wave self consistent field program based on density functional theory.
Benzer Tezler
- InSe/GaSe yarıiletken heteroyapısının elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi
The theoretical investigation of the electronic properties of InSe/GaSe semiconductor heterostructures
AYÇA KIRAĞASI
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Bazı Fe-bazlı alaşımların örgü dinamiği ve bir ince film çalışması
Lattice dynamics of some Fe-based alloys and a thin film study
GÖKAY UĞUR
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. İRFAN AKGÜN
- Co-8%Fe alaşımının örgü dinamiği
The Lattice dynamics of Co-8%Fe alloys
İBRAHİM AYAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İRFAN AKGÜN
- Bazı ikili ve dörtlü alaşımların örgü dinamiği
The lattice dynamic of some binary and quaternary alloys
MUSTAFA ÖZDURAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İRFAN AKGÜN
- Örgü dinamiğinde bazı açısal kuvvet modelleri
Some angular force models in the lattice dynamics
ENGİN DELİGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. KEMAL ÇOLAKOĞLU