InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri
Electron and magnetotransport properties of InAlN/GaN based high electron mobility transistörs (HEMT)
- Tez No: 303553
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada InAlN/GaN ve InAlN/AlN/GaN/AlN yüksek mobiliteli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Bu amaçla, her bir numunenin özdirenci, Hall mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu sıcaklık (30 ? 300 K) ve manyetik alanın (0 ? 1,4 T) fonksiyonu olarak ölçüldü. Manyetik alana bağımlı ölçüm sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edildi ve gerçek 2-boyutlu elektron gazı (2DEG), bulk taşıyıcı yoğunlukları ve bu taşıyıcı yoğunlularından kaynaklanan mobiliteler tespit edildi. Sıcaklık bağımlı Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıştırılmış 2DEG verileri kullanılarak saçılma analizleri ve gerginlik hesaplamaları yapıldı. Yapılan analizler sonucunda, 2DEG iletiminin gerçekleştiği kuantum kuyusu genişliği, arayüzey bozukluğu ve gerginlikleri belirlendi. Ayrıca, korelasyon uzunluğu, deformasyon potansiyeli ve kuyu genişliği gibi parametreler belirlendi. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin belirlenmesi, daha sonraki çalışmalarda elektriksel özellikleri daha iyi olan numunelerin üretilmesinde yol gösterme işini üstlenecektir.
Özet (Çeviri)
Electron and magnetotransport properties of 5 different InAlN/GaN and InAlN/AlN/GaN/AlN structures were investigated in this study. Resistivities were measured at a temperature range of 30 ? 300 K, Hall mobilities and Hall carrier densities were measured at the same temperature range and magnetic fields between 0 ? 1.4 T. Two-dimensional and 3-dimensional conduction mechanisms were seperated using Quantitative Mobility Spectrum Analysis (QMSA) of magnetotransport measurement results. Results of Hall measurements and QMSA results were used to conduct scattering analysis and strain calculations separately and the differences were examined. Well width of the quantum well that the 2-dimensional conduction occured, roughness of the related interface where the conduction occured and the strain of the interface were calculated. Also, correlation length and deformation potential of samples were determined. Succesfull calculation of these parameters related with the sctructural properties will lead to produce samples which will have better electrical properties.
Benzer Tezler
- Design, fabrication, and characterization of normally-off GaN hemts
Normalde kapalı YEMT aygıtların tasarım, fabrikasyon ve karakterizasyonu
MELİSA EKİN GÜLSEREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Fabrication of AlN/GaN MIS-HEMT with SiN as gate dielectric and performance enhancement with ALD deposited Alumina
SiN katmanının kapı dielektriği olarak kullanıldığı AlN/GaN MIS-HEMT yapılarının üretimi ve ALD ile kaplanan Alumina ile performansının artırılması
SAĞNAK SAĞKAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
YRD. DOÇ. DR. TALİP SERKAN KASIRGA
DR. NECMİ BIYIKLI
- GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
ÖZGÜR KELEKÇİ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure
ÖZLEM BAYAL
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
- Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
GÖKHAN ATMACA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN