AlGa(In)N/AlN/GaN heteroeklem yapıların enerji bant profillerinin ve taşıyıcı yoğunluklarının Nextnano3 simülasyon programı kullanarak incelenmesi
Investigation of carrier densities and energy band profiles of AlGa(In)N/AlN/GaN heterojunction structures by using Nextnano3 simulation program
- Tez No: 300058
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların cihaz performanslarını geliştirmek için Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak büyütme parametrelerinin optimizasyonu araştırılmıştır. Kutuplanmanın indüklediği taşıyıcıları içeren kendi içinde tutarlı 1-band, 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri, AlGa(In)N/AlN/GaN tekli kuantum kuyulu yapılar için yapıldı. AlN ara tabaka ve AlGa(In)N bariyer kalınlıklarının ve bariyerdeki Al ve In mol kesirlerinin iletkenlik bant yapıları, taşıyıcı yoğunlukları ve elektronların olasılık dalga fonksiyonları üzerine etkileri araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, to improve the device performance of GaN-based high electron mobility transistor structures, the optimization of growth parameters is investigted by using Nextnano3 simulation program. For the AlGa(In)N/AlN/GaN single quantum wells the self-consistent 1-band, 1-dimension Schrödinger-Poisson equations including polarization induced carriers have been solved and simulated. The effects of Al interlayer and AlGa(In)N barrier layer thicknesses and Al and In mole fractions in barrier layer on conduction band structures, carrier densities, two dimensional electron gas wave functions have also been examined.
Benzer Tezler
- AlGa(In)N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerde iki boyutlu elektron gazına ait sıcak elektron dinamiğinin incelenmesi
Investigation of hot electron dynamics of two dimensional electron gas in AlGa(In)N/GaN high electron mobility transistors
AYKUT ILGAZ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
PROF. DR. ALİ TEKE
- Epileptik nöbet geçiren-sağlıklı çocuğu olan annelerin tükenmişlik düzeylerinin farklı değişkenler açısından incelenmesi
Studying of burnt out levels of mothers of with children having epileptic seizures and healthy children with respect to different variables
SEVİL AKMAN
- Okul yöneticilerinin yönetimsel karar verme / problem çözme yeterliliği
Başlık çevirisi yok
NESRİN GİRAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Eğitim ve ÖğretimYeditepe ÜniversitesiEğitim Yönetimi Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. DENİZ BÖRÜ
- GaN/AlGaN-based UV photodetectors wıth performances exceedıng the pmts
Pmt performansını geçen GaN/AlGaN-tabanlı UV fotodedektörler
TURGUT TUT
Doktora
İngilizce
2008
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL