Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties organic semiconductor/inorganic semiconductor diode
- Tez No: 300019
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ENVER AYDIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada (100) doğrultusunda büyütülmüş özdirenci ?? 5-10 ? -cm olan boron katkılı p-tipi Si kullanıldı.Amacımız metal-yarıiletken Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri,arayüzey hallerinin enerji dağılımını belirlemek ve aynı şartlarda hazırlanmış diyotların engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki bağlantıyı araştırmaktır.Ayrıca bu yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve karakteristiklerinin aydınlanma şiddetiyle ilişkisine açıklık getirebilmektir.Bu amaç için Al/Tips:Meppv/p-Si diyotunu kendi laboratuarımızda imal ettik. Yaptığımız HF'e daldırma metoduyla RCA kimyasal temizleme işleminin sonucunda silisyum kristalinin yüzeyi yoğun bir şekilde hidrit gruplarıyla kaplandı. Bu işlemden sonra silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 5800 sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine Tips:Mehppv organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı.Böylece organik film elde edildi.Elde edilen Tips:Meppv/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/Tips:Meppv/p-Siyapısı elde edildi Bu diyotların karakteristik parametreleri(I-V) akım gerilim ölçümlerinden belirlendi.Bu ölçümler karanlıkta ,aydınlıkta ve farklı frekanslar için gerçekleştirildi .p-tipi Si yarıiletkenin yüzeyi hidrojenlendiğinden bu yapı doğrultucu özellik gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this study,we have used p-Si with(100) orientation and resistivity ?? 5-10 ? -cm Our purpose is experimentally to investigate the characteristic parameters and the interface state density distribution of metal/semiconductor Al/p-Si contacts.Furthermore, the effective Schottky barrier heihts and ideality factors obtained from the current-voltage(I-V) characteristics have differed from diode to diode although the samples have been identically prepared.Therefore,it has also been exampled the reason of the linear relationship between effective barrier heights and ideality factors.We have prepared the MS Al/p-Si contacts in our research laboratory.The RCA clean with HF dip shows a predominant coverage of the surface with hydride groups.After HF etching,the Si surfaces is predominantly terminated by various hydrides. .After ,Ohmic contacts on the lustreless surface wafer formed under high vacuum by evaporation of Al and thermal annealing at 580 0 temperture for 3 minutes in flowing N2 in the quartz tube furnace. Tips:Meppv organic film solutions have been droppen on the bright surface of Silisium with ohmic contact and it have been left to dry.İn this way organic film has been obtained. Al/ Tips:Meppv /p-Si has been obtained by evaporation again Al on the surface were formed Tips:Meppv /p-Si structure.The characteristics parameters of the structures have been determined using current-voltage(I-V) measurements.This measurements have carried out in dark and under illumination.Therefore,H-terminated Al/p-Si structures showed the rectifying behavior.
Benzer Tezler
- An experimental investigation of high purity single walled carbon nanotubes as transparent electrode materials
Tek duvarlı karbon nanotüp saflaştırması ve geçirgen elektrot oluşturulması konusunda deneysel çalışmalar
MOZHGAN LAKI
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- Synthesis and characterization of semiconductor nanowires via electrochemical technique
Yarı iletken nanoçubukların elektrokimyasal teknikle sentezlenmesi ve karakterizasyonu
BAHADIR DOĞAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Bölümü
PROF. DR. ZUHAL KÜÇÜKYAVUZ
YRD. DOÇ. DR. NURDAN D. SANKIR
- p-CuPc organik yarıiletken ince filmlerin a-Si altlıklar üzerine kimyasal sprey püskürtme tekniği ile büyütülmesi ve elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of p-CuPc organic semiconductor thin films growth onto a-Si subtrates via the chemical spray pyrolsis technique
DİLEK DEMİROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiNamık Kemal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEYHAN TATAR
- Dimetil sarısı ara yüzey kalınlığının heteroeklem aygıtların elektriksel parametreleri üzerine etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of the dimethyl yellow interfacial layer' thickness on the electrical parameters of heterojunction devices
OKTAY KARADUMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER