Geri Dön

Ag/ZnO/p?Si yapısının elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of Ag/ZnO/p?Si heterojunction

PDF İndir

  1. Tez No: 300015
  2. Yazar: CİHAT BOZKAPLAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Engel yüksekliği, Schottky diyodları, Schottky eklemi, Schottky engelleri, Schottky kontakları, İdealite faktörü, Barrier height, Schottky diodes, Schottky junction, Schottky barriers, Schottky contacts, Ideality factor
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır.Bu çalışmada p?Si üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve Ag metalinin ZnO/p?Si yapısı üzerine buharlaştırılması ile Ag/ZnO/p?Si heteroeklem diyotu elde edildi. Elde edilen yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında akım?gerilim (I?V) kapasite?gerilim (C?V) ve kapasite?frekans (C?f) ölçümleri ile incelendi. Engel yüksekliği, idealite faktörü, ve seri direnç gibi yapının elektriksel parametreleri akım?gerilim (I?V) ve kapasite?gerilim (C?V) ölçümlerinden belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan ZnO heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

As semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological.n this study, by forming a thin film of ZnO on p?Si and by evaporating Ag, metal on ZnO/p?Si structure, Ag/ZnO/p?Si heterojunction diode has been obtained. It is observed that structure exhibit a rectifying behavior. The electrical junction properties have been characterized by current?voltage (I?V), capacitance?voltage (C?V) and capacitance?frequency (C?f) methods at room temperature. The characteristic parameters of the structure such as barrier height, ideality factor and series resistance have been determined from the current?voltage and capacitance?voltage measurements. Obtained results have been compared with available results of ZnO heterjunction contacts in literature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    728786

    Atomik katman biriktirme tekniği kullanılarak opto-elektronik cihaz üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of opto-electronic device by atomic layer deposition method

    NURİYE KAYMAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ELİF ORHAN

  2. Tez No

    843646

    Organik ara yüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların oluşturulması ve frekansa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Formation of metal-semiconductor (MS) structures with organic interface layers and examination of frequency-dependent electrical properties

    NESLİHAN DELEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

  3. Tez No

    295993

    Hidrojenlendirilmiş amorf silikon-kristal silikon heteroeklem güneş gözelerinin bilgisayar modellemesi

    Computer modeling of hydrogenated amorphous silicon-crystal silicon heterojunction solar cells

    MELİS BİLGİÇ AKSARI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    EnerjiHacettepe Üniversitesi

    Temiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYNUR ERAY

  4. Tez No

    861061

    Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Makine MühendisliğiDuke Unıversıty

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  5. Tez No

    68877

    FDDI tabanlı bir ağ sistemi için etkin bir gerçek zamanlı iletişim yapısının tasarımı

    Design of an efficient real time communication structure for an fddi based network system

    FEZA BUZLUCA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMRE HARMANCI

Geri Dön