Geri Dön

Solid-gas reactions of silicon with Y2O3 and nitrogen

Si ve Y2O3' in azotla katı-gaz reaksiyonları

  1. Tez No: 29413
  2. Yazar: ALİ YÖNDEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MERAL KIZILYALLI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Kimya, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: Yttrium silikon oksinitrür, Yttrium oksisilikat, Yttrium disilikat, X-ışmları toz diffraksiyonu, İR spektral analizler, Azot, Demir, Katı-gaz reaksiyonları, Silisyum, İtriyum, Yttrium silicon oxynitride* Yttrium oxysilicate, Yttrium disilicate, X-ray powder diffraction, IR spectral analysis. Scientific Code : 405.01.01, Nitrogen, Iron, Solid-gas reactions, Silicon, Yttrium
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Kimya Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

öz Si VE Y2O3' İN AZOTLA KATI-GAZ REAKSİYONLARI YÖNDEN, Ali Master tezi, Kimya Anabilim Dalı Tez yöneticisi: Prof.Dr. Meral Kızılyallı. Haziran, 1993, 85 sayfa Bu araştırmada şimdiye kadar rapor edilmemiş azot akımında gerçekleştirilen Y2O3 + Si katı-gaz reaksiyonları, Fe ve NaF maddeleri kullanılarak, değişik sıcaklıklarda çalışıldı. Analiz XRD ve İR yöntemleriyle yapıldı. Tezin birinci bölümünde tüm reaksiyonlar % 2 oranında Fe tozu kullanılarak gerçekleştirildi. Reaksiyonlarda azot gazının akım oranı saniyede 1 cm3 olarak tutuldu. Reaksiyon zamanı ve sıcaklığı 1 200°C ve 6 saat olarak belirlendi ve sabit tutuldu. Yttrium ve silikonun mol oranları 2.5:1 den 1:2.5 e kadar değiştirildi ve incelendi. Y: Si= 1:2 mol oranında Y2Sİ2O7 fazı vısentezlendi ve monoklinik sistemde indekslendi. Birim hücre boyutları a= 5.585, b= 10.809, c= 4.690 A ve p= 96.194° ve uzay grubu P2ı/c (No: 14) olarak bulundu. Tezin ikinci kısmında % 2 oranında NaF maddesi Fe tozunun yerine kullanıldı. Diğer parametreler sabit tutuldu. Y:Si= 2:1 mol oranında Y2SİO5 fazı ikinci faz olarak sentezlendi ve monoklinik sistemde indekslendi. Birim hücre boyutları a= 12.496, b= 6.728, c=1 0.421 A, ve p= 102.646° ve uzay grubu 12/c olarak bulundu. Tezin üçüncü kısmında Y:Si=1:1.5 mol oranı sabit tutuldu ve NaF maddesinin yüzde miktarı araştırıldı. Karışmış tozlara % 10'a kadar NaF ilave edildi. Y2Sİ2O7,ve Y2Sİ3N4O7 fazlarının sentezi için % 5 NaF optimum miktar olarak belirlendi. Tezin en son kısmında sıcaklığın etkisi araştırıldı. Sıcaklık 800°C'den 1300°C'e kadar değiştirildi. % 5 NaF ve Y:Si=1:1.5 mol oranı sabit tutuldu. Tüm reaksiyonlar saniyede 1 cm3 azot gazı akışı altında ve 6 saatlik sürede gerçekleştirildi. Y4.67(Si04)30 fazı 800°C'de sentezlendi ve hegzagonal sistemde indekslendi. Birim hücre boyutları a=9.337 ve c=6.757 A olarak bulundu. 1000°C'de ise Y2Sİ3N4O3 fazı sentezlendi ve tetragonal sistemde indexlendi. Birim hücre boyutları a=15.183 ve c= 15.571 A olarak bulundu. 1100°C ve 1300°C de tüm fazlar Y2Sİ3N4O7 ve Y2SİO5 fazlarına oksitlendi. 1300 °C'de Y2Sİ2O7 fazı oldukça saf olarak elde edildi. Birim hücre boyutları a=6.784, b=8.967 c=4.719 A ve p= 101.63° olarak bulundu. VIIBileşiklerin infrared spektrumları analiz edildi ve spektral modların değerlendirmeleri literatür verilerine göre yapıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT SOLID-GAS REACTIONS OF Si AND Y203 WITH NITROGEN Yönden, Ali M.Sc. in Chemistry Supervisor: Prof.Dr.Meral KIZILYALLI June, 1993, 85 pages The previously unreported solid-gas reactions of Y2O3 + Si with Fe and NaF promoters under nitrogen flow were studied at different temperatures and analysis of the products was performed by both x-ray diffraction and IR spectroscopy. In the first part of this thesis, all reactions were carried out by using 2 wt % Fe powder, under nitrogen atmosphere (with Icc/s flow rate), at 1200°Cand for 6 hours. The molar ratio of yttrium to silicon was changed from 2.5:1 to 1:2.5. The Y2Sİ2O7 phase was obtained at the molar ratio of Y: Si= 1:2 and this phase was indexed in the monoclinic system with the unit cell parameters of a = 5.585, b = 10.809, c = 4.690 A and p= 96.194°. The space group was reported as P2i/c (No: 14).In the second part, 2 wt % NaF was used in all the reactions as a promoter. The other parameters were held the same. At the molar ratio of Y:Si= 2:1, Y2SİO5 was obtained as a second phase together with Y2O3. It was indexed in the monoclinic system. The unit cell parameters were found to be a = 12.496, b= 6.728, c= 10.421 A, p= 102.646° and the S.G is 12/c. In the third part, the molar ratio of Y:Si= 1:1.5 was held constant. The effect of NaF weight percent was investigated. Up to 10 wt% NaF was added to the mixed powders. It was proved that 5 wt % NaF was the optimum condition for the formation of Y2S İ2O7 and Y2S İ3N4O3. In the last part of this research, the temperature range of 800°C to 1300°C for the solid-gas reactions was studied by using 5 wt % NaF at the molar ratio of Y:Si = 1 :1.5. The reactions were completed again under Icc/s flow rate of nitrogen gas in 6 hours. Y4.67(Si04)30 phase was obtained at 800°C and it was indexed in the hexagonal system. The unit cell cell parameters were found as a= 9.337 and c= 6.757 A. At 1000°C, the Y2Sİ3N4O3 phase was synthesized in higher percentage. It was indexed in the tetragonal sytem with the unit cell parameters of a= 15.183 and c= 15.571 A. At 1 100°C and 1 300°C, all phases oxidized to Y2S İ2O7 and Y2SİO5. At 1 300°C, Y2Sİ2O7 was found almost in pure form and indexed in the monoclinic system. The unit cell parameters are a= 6.784, b= 8.967, c= 4.71 9 A and p= 1 01.63°. The IR spectra of the compounds were analyzed and the assignments of the modes were made with respect to the literature data. IV

Benzer Tezler

  1. Silisyum dioksit depozisyon sistemi

    Silicon dioxide deposition system

    BARBAROS ŞEKERKIRAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. DURAN LEBLEBİCİ

  2. Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar

    Anisotropic etching of silicon and microsensors

    F.ALİ ALDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  3. Yarı iletken silisyum üretim teknolojisi

    Başlık çevirisi yok

    R.MURAT TABANLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. MEHMET ÇAPA

  4. Çelik bantların sıcak daldırma yöntemi ile alüminyum kaplanması

    Hot-Dip aluminizing of steel strip

    ERTUĞRUL ARABACI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. SÜHEYLA AYDIN

  5. Metal infiltre edilmiş mikro poroz karbon kompozitlerin aşınma ve sürtünme davranışının karakterizasyonu

    Başlık çevirisi yok

    GÜLTEKİN GÖLLER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADNAN TEKİN