MOS kontrollu tristör ( MCT ) ve sürme devrelerinin incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 29169
- Danışmanlar: Belirtilmemiş.
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Tristör, Thyristor
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET MCT (MOS-Kontrollü Tristör), yalıtılmış MOS kapısından pozitif ve negatif gerilim sinyali ile kontrol edilmek üzere dizayn edi İmiş,trist örün mükemmel özelliklerine sahip yepyeni bir elemandır. Tristör gibi anodu ile katodu arasında p-n-p-n tabakaları ve üç jonksiyondan oluşmuştur. Yapısında,biri n- kanallı, diğeri p-kanallı olmak üzere iki PET ve biri npn, di ğeri pnp olan iki transistor bulunmaktadır. MCT anoda negatif gerilim sinyali verilmek suretiyle iletime geçirilir. Pozitif gerilim sinyali ile söndürülür. MCT'nin iletimdeki gerilim düşümü çok azdır ve geniş bir SOA(Emniyetli Çalışma Alanı) özelliğine sahiptir. Yüksek di/dt ve dv/dt özelliği, sıcaklık yeteneği, tristöre ilaveten hızlı anahtarl ama imkanı sağlanmış olması ile MCT çok parlak bir gelecek vaad etmektedir. MCT, yeni bir güç yarı iletkeni olmasına rağmen, DC ve AC Motor Kontrolü,ÜPS Sistem leri, Endüksiyonla Isıtma,DC-DC Dö nüştürücüler, Aktif Güç Hatları ve bunun gibi geniş uygulama alanları için olanaklar sağlar. MOS kontrollü bir tristör olan MCT, üstün özelliklerinden dolayı, çok yakın bir gelecekte günümüzün elemanlarına tercih edilecektir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY MCT,designed to be controlled through its isolated MOS gate with positive and negative voltage signals, is the newest device, which has also perfect specifications of thyristors. It is consisted of pnpn layers between its anode and cathode and three junctions, such as thyristors.lt has two FET's ;one of them is p-channel and two transistors as npn and pnp. MCT is turned on by a negative voltage pulse at the gate and off by a positive voltage pulse. This device has a low conduction drop and a large SOA capability with high di/dt and high dv/dt, temperature capability.lt is faster switching possibility than thyristors. Although MCT is a new power semi-conductor, It shows tremendous possibility for wide spread applications, as dc and ac motor drives, DPS systems, induction heating, dc-dc converters, active power line conditioners etc. MCT will be the major device in future as comparison to previous and present devices, because of its superior characteristics.
Benzer Tezler
- TTL ve genel mos sayısal tümdevreler için bilgisayar kontrollü tümdevre test aleti
Başlık çevirisi yok
İSMAİL BAYRAKTAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. HAKAN KUNTMAN
- A Computer controlled data acquisition and measurement system for solar cells
Güneş pilleri için bilgisayar kontrollü veri toplama ve ölçme sistemi
ERCAN YILDIZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SADETTİN ÖZYAZICI
- MS ve MIS yapılarının gaz algılama özelliklerinin incelenmesi
Investigation of gas sensing properties of MS and MIS structures
FATİH DUMLUDAĞ
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZAFER ZİYA ÖZTÜRK
- Yaşayan polimerizasyon sistemlerini içeren dönüşüm reaksiyonları ile blok ve graft kopolimer sentezi
The Synthesis of block and graft copolymers by using transformation reactions involuing living polymerization systems
AYŞEGÜL BAŞKAN DÜZ
- Ota-C osilatörlerinde ideal olmama problemi
Başlık çevirisi yok
UĞUR ÇAM
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN