GaSb yarı iletken temelindeki infrared fotodiyotların karanlık akımlarının incelenmesi
Investigation of dark current mechanisms of GaSb based infrared photodiodes
- Tez No: 286962
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Heteroeklem, Kızılötesi, Optoelektronik, Yarı iletkenler, Heterojunction, Infrared, Optoelectronic, Semiconductors
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Yarıiletken malzemeler ve bu malzemelerden üretilen doğrultucu, laser, transistör, ışık yayan diyot (LED), fotodetektör gibi araç ve gereçler, elektronik, bilgisayar teknolojisi, nanoteknoloji, askeri savunma sanayi, optik iletişim sistemleri gibi pek çok alanda yaygın olarak kullanılmaktadır. Son yıllarda, kızılötesi (infrared) bölgede çalışan yüksek verimli ışık kaynakları ve fotoalıcılar, ayrıca bunların imal edilmesi için gereken yarıiletken malzemelerin incelenmesi güncel bir konu haline gelmiştir. Söz konusu spektrum bölgesinde çalışan optoelektronik düzeneklerin imal edilmesi için GaSb ve InAs gibi taban malzemeler ile örgü sabitleri uyumlu olan GaInAsSb, GaAlAsSb, InAsSbP gibi dört bileşenli katı çözeltiler uygun malzemeler olarak görülmektedirler.Bu çalışmada kızılötesi bölgede çalışan GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb çift heteroyapı numunesinin elektrik özellikleri incelenmiştir. C-V ve I-V ölçümlerinin yanı sıra hesaplanan ideal faktör ve aktivasyon enerjisi değerlerinden de faydalanılarak farklı sıcaklıklardaki karanlık akım mekanizmaları yorumlanmıştır.
Özet (Çeviri)
Semiconductor materials and devices produced from these materials such as rectifiers, lasers, transistors, light emitting diodes (LEDs) and photodetectors are widely used in electronics, computing technologies, nanotechnology, defence industry, optical communication systems etc. In recent years, efficient light sources and photodetectors operating in the infrared region and investigation of the semiconductor materials used to fabricate these devices have been popular. Quaternary solid solutions such as GaInAsSb, GaAlAsSb and InAsSbP which are lattice matched with GaSb and InAs substrates are said to be appropriate materials to fabricate optoelectronic devices operating in the infrared region.In this work, electrical properties of the GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb double heterostructure were investigated. Dark current mechanisms at several temperatures are discussed by using calculated ideality factor and activation energy values in addition to I-V and C-V measurements.
Benzer Tezler
- Comparison of electrochemical polymerization and electrochemical characterizations of carbazole-substituted phthalocyanines
Karbazol bağlı fitalosiyaninlerin elektrokimyasal polimerizasyonu ve elektrokimyasal karakterizasyonlarının karşılaştırılması
ALMILA BOZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BELKIZ USTAMEHMETOĞLU
- Synthesis of B,F co-doped anatase TİO2/graphene oxide based bodipy decorated cyclophosphazene nanocomposites for photoelectrochemical water splitting
Fotoelektrokimyasal su ayrışımı için grafen oksit temelli bodipy ile dekore edilmiş siklofosfazen – B, F katkılandırılmış TİO2 nanokompozitlerin sentezi
BURCU TOPALOĞLU AKSOY
- Güneş hücresi ve lazer uygulamaları için büyütülen SB tabanlı III-V grubu yarıiletken yapıların incelenmesi
Investigation of grown SB-based III-V group semiconductor structures for solar cell and laser applications
SABAHATTİN ERİNÇ ERENOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURCU ARPAPAY
- Geçiş metal oksit tabanlı ince film gaz sensörleri
Transition metal oxide based thin film gas sensors
KÜBRA YAMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇI
- Azot içeren borafenalen temelli organik yarı iletken modellerinin teorik incelenmesi
Theoretical investigation of nitrogen-containing boraphenalene-based organic semiconductor models
BUŞRA HAMARAT