Spray-Pyrolysis yöntemiyle elde edilen cdsx se1-x filimlerinin bazı fiziksel özellikleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 28602
- Danışmanlar: PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Film, Kadmiyum, Selenyum, Sprey piroliz yöntemi, Film, Cadmium, Selenium, Spray pyrolysis method
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET II-VI-VI elementlerinden oluşan CdSxSeı_x (0<x£l) filimler! spray-pyrolysis yöntemiyle elde edilmiştir. Filimler elde edilirken 225-335°C arasında beş farklı taban sıcaklığı ve aralıkları 0,25 olan beş farklı çözelti konsantrasyonu tercih edilmiştir. Filimler hava ortamında tavlanmış, bazı fiziksel özellikleri tavlama öncesi ile tavlama sonrası olarak karşılaştırılmıştır. Filimlerin iletkenlik türü hot-probe tekniği ile n-tipi olarak belirlenmiştir. Elektriksel ölçümler 5 mW/cm2 'lik aydınlatma şiddeti altında yapılmış ve filimlerin özdirençleri 101-103 ohm-cm mertebesinde hesaplanmıştır. Akım-voltaj karakteristikleri, taban sıcaklıkları arasında karşılaştırma yapılarak, değerlendirildiğinde 250±5°C ve 275±5°C taban sıcaklıklarında elde edilen filimlerin fotoiletkenliklerinin daha iyi olduğu gözlenmiştir. 250±5°C taban sıcaklığında elde edilen filimler hava ortamında, beş farklı sıcaklıkta, yarım saat süre ile tavlama yapılmıştır. Tavlamalar sonucunda CdS, CdS0f75Se025, CdS0/5Se05 f ilimleri en iyi fotoiletkenliği 450±25°C tavlama sıcaklığında göstermişlerdir. Filimlerin optik özellikleri oda sıcaklığında 200-900 nm arasında değişen absorpsiyon grafiklerinden elde edilmiştir. (ahv)2 - hv ' ya göre grafiklerinden direkt enerji-bant aralığına sahip oldukları belirlenmiştir. CdS filimlerin yasak enerji aralıkları taban sıcaklığına bağlı olarak 2.42- 2,44 eV arasında, CdSe filimlerin ise 1,72-1,75 eV arasında hesaplanmıştır. Tavlama yapılan 250±5°C taban sıcaklığındaki filimlerde yasak enerji aralıklarının önemli bir değişim göstermediği gözlenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filimlerin polikristal oldukları, CdS ve CdSe filimlerin hekzagonal^ faza ait olduğu, diğer filimlerde ise, genelde hekzagonal ve monoclinic yapılara rastlanmıştır. 250±5°C taban sıcaklığında elde edilen filimlerin tavlama sonucundaki kırınım desenlerinden, bazı CdS piklerinin 450±25°C tavlama sıcaklığında, diğer tavlama sıcaklıklarına göre küçüldüğü gözlenmiştir. Filimlerin yüzeyleri bir optik mikroskopla taranarak çekilen fotoğraflarında siyah lekeler görülmüştür. T.B. YÜKSEKÖ?RETİM ' İflANTâSÎÛI UüIa 1 M
Özet (Çeviri)
II SUMMARY CdSxSeı_x (0<x^l) films were obtained by using spray- pyrolysis method. Five different substrate temperatures and five different solvent concentrations were used at 225-335°C to obtain these films. The films were thermally processed. Some physical properties of films were compared before and after annealing. The type of conductivity of films were determined as n-type. Electrical measurements were carried out under illumination of 5mW/cm2. Resistivity of films were calculated as 10x-103 ohm-cm. Films obtained at 250±5°C and 275±5°C substrate temperatures showed better photoconductivity compared to those obtained at substrate temperatures in terms of current -voltage characteristics of the films. Films obtained at 250±5°C substrate temperature were thermally processed for half an hour in a special furnace at five different temperatures. At the end of thermal processing, CdS, CdS0>75Se0#25 and CdS0>5Se0<5 showed the best photoconductivity at annealing temperature of 450±25°C. The optical properties of films were obtained from absorption spectra between 200 and 900 nm at room temperature. (GChv)2 vs. hi) diagrams indicated that the films have direct energy gap. The forbidden energy gaps of CdS and CdSe films were 2,42-2,44 eV and 1,72-1,75 eV, respectively depending on substrate temperatures. The forbidden energy gaps of the films obtained at 250±5°C substrate temperature which were thermal processed didn't show any significant change with annealing temperature. X-ray difraction patterns indicated that CdS and CdSe have hexagonal structure, the rest have generally hexagonal and monoclinic Some of the CdS peaks seen in the films obtained at 250±5°C substrate temperatures observed to become smaller at annealing temperature of 450±25°C than the other annealing temperatures. The optical micrographs of the films showed some black spots on the surface.
Benzer Tezler
- Spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen Pb1-x Cdx S filimlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
ŞADAN KORKMAZ
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Cd (In2S3)S yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of the Cd (In2S3)S semiconducting films
METİN KUL
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Cu(Zn,Cd) in (Sı-xSEx)2 yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Properties physics semiconductor films of Cu (Zn,Cd) in (Sı-xSex)2
SABİHA AKSAY
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Ultrasonik spray-pyrolysis yöntemi ile elde edilen Cd1-xSnxS filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of some physical properties of Cd1-xSnxS films produced by ultrasonic spray-pyrolysis method
MEHMET PEKER
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. M. SELAMİ KILIÇKAYA