Sol-jel yöntemi ile büyütülen katkısız ve Ni katkılı ZnO yarı iletkenlerinin yapısal ve optik özellikleri
Structural and optical properties of undoped and Ni doped ZnO semiconductors grown by sol-gel method
- Tez No: 284365
- Danışmanlar: PROF. DR. SEYDİ DOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, sol-jel spin kaplama yöntemi ile katkısız ve farklı mol oranlarında Nikel (Ni) katkılanan katkılı ZnO ince filmlerin optik ve yapısal özellikleri incelenmiştir. Farklı Ni molaritesi altında katkılamanın etkisini gözlemlemek için, Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM), X-Işını Kırınımı (XRD), Taramalı Elektron Mikroskop (SEM), Dalgaboyu Ayrımlı X-Işını Flüoresans (WDXRF), optik soğurma ve geçirgenlik ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Büyütülen ZnO filmler taban malzeme yüzeyine dik olan c-ekseni boyunca büyüme eğilimi göstermişlerdir. Tüm numunler için baskın pik (002) olarak gözlemlenmiştir. AFM ve SEM görüntüleri katkılamanın yüzey morfolojilerini etkilemediğini göstermiş olup filmlerin yüzey pürüzlülük değerleri 4.0 nm ile 4.3 nm aralığında gözlenmiştir. Geçirgenlik sonuçları, geçirgenliğin yaklaşık %75 civarında olduğunu ve artan katkılama konsantrasyonu ile birlikte biraz azaldığını göstermiştir. Yasak enerji aralığı değerleri, (?hv)2-hv grafiklerinden, katkısız ve %0.75 Ni katkılı ZnO ince filmleri için sırasıyla 3.282 eV ve 3.263 olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, the optical and structural properties of undoped and Nickel (Ni) doped ZnO thin films with different mole ratios via sol-gel spin coating method have been investigated. Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Wavelength Dispersive X-ray Fluorescence (WDXRF), optical absorption and transmittance measurements have been employed to observe the effect of doping with different values of Ni molarity. The grown ZnO films exhibit a higher degree of preference along the c-axis perpendicular to the substrate surface. The dominant peak has been observed as the (002) reflection for all samples. AFM and SEM images has been showed that doping had not affected the surface morphologies of the films; and surface roughness values of the films have been observed between 4.0 nm and 4.3 nm. The optical band gap values have been calculated to be 3.282 eV and 3.263 eV for undoped 0.75% Ni doped ZnO thin films from (?hv)2-hv figures, respectively. Transmittance results showed that the optical transmittance values in the visible region were about 75% and decreased slowly with incrasing of doping concentration.
Benzer Tezler
- İlkokul çağı erkek çocuklarında inmemiş testis anomalisi ve insidansı
The anomaly and incidence of cryptorchidism in primary school boys
SERDAR SEZGİN
- Fabella görülme oranının radyolojik olarak araştırılması
The Incidence of the fabella in radiological evaluation
AYMELEK YALIN
Yüksek Lisans
Türkçe
1984
MorfolojiCumhuriyet ÜniversitesiMorfoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN CEYHAN
- Sivas yöresinde os trigonum oranının radyolojik olarak araştırılması
An Investigation about the incidence of os trigonumin Sivas
MEHMET ÇİMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Radyoloji ve Nükleer TıpCumhuriyet ÜniversitesiMorfoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN CEYHAN
- Çukurova bölgesinde biyoklimatik veriler kullanılarak açık ve yeşil alan sistemlerinin belirlenmesi ilkeleri üzerinde bir araştırma
A research on the determination of the principles in open and green spaces systems by using the bioclimatic data in Çukurova region
MEHMET FARUK ALTUNKASA
Doktora
Türkçe
1987
Çevre MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiPeyzaj Mimarlığı Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDOĞAN GÜLTEKİN