Ni/n-Si/Al Schottky diyotların sıcaklık bağımlı parametrelerinin hesaplanması
Calculation of temperature dependent parameters of Ni/n-Si/Al Schottky diodes
- Tez No: 284355
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İdealite faktörü, Ideality factor
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ni/n-Si/Al Schottky diyotların deneysel akım-gerilim (I-V) karakteristikleri çalışılmıştır. Diyotlar, antimon katkılanmış 0.01 özdirençli n+ taban Si üzerine LPE (Liquit-phase epitaxy) tekniği ile büyütülen fosfor katkılı 2 özdirençli, yaklaşık 18 kalınlıklı ve <100> yönelimli silisyum yarıiletken tabaka kullanılarak hazırlanmıştır. Kristal boyutlarında kesildikten sonra omik kontak oluşturmak için mat yüzeylerine Al buharlaştırıldı. Parlatılmış yüzey üzerine dc manyetik sputtering tekniği kullanılarak 1.5 mm çapında Ni Schottky diyotlar oluşturuldu. Diyotların numune sıcaklığına bağlı değişimini incelemek için akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 60-320 K sıcaklık aralığında 20 K adımlarla ölçüldü ve incelendi. Ni/n-Si diyotların değişen numune sıcaklığına bağlı doğru beslem I-V karakteristiklerinden Cheung fonksiyonları kullanılarak elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görüldü. Ayrıca, I-V karakteristikleri yardımıyla elde edilen engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla arttığı, idealite faktörünün de azaldığı görüldü. Bu durum engelin inhomojenliğine atfedildi.
Özet (Çeviri)
Diodes have been prepared on P doped Si, (with tichnesses of 18 a resistivity of 2 W-cm) which was grown on Sb doped Si substrate, having resistivity of 0.01 W-cm by LPE. The wafer was cut into pieces of 0.5x0.5cm2. The ohmic contact was made by evaporating Al on the back side of these pieces (the 0.01 W-cm resistivity antimony-doped n+ side). The Schottky contacts have been formed using dc magnetron sputtering Ni as dots with diameter of about 1.5 mm on the front surface of the n-Si. The current-voltage (I-V) characteristics of the devices were in the temperature range of 60-320 K. Barrier heights and ideality factors were calculated from from I-V characteristics. Furthermore, barrier heights, ideality factors and series resistances calculated from Cheung functions using I-V characteristics depending on temperature. İt has been that, the value of series resistance decreased with increasing temperature. It was seen that, ideality factor decreased and barrier height were increased with increasing temperature.
Benzer Tezler
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence of electrical characteristics of the Al/p-Si Schottky diodes with insulator layer
HATİCE KANBUR
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures
DİLBER ESRA YILDIZ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Yalıtkan arayüzey tabakası ve seri dirence sahip Al/ SnO2/ p-Si schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of temperature dependent electrical characteristics of Al/ SnO2/ p-Si schottky diodes with serial resistance and interfacial insulator layers
ZEKİ TEKELİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical characteristics of Schottky diodes
HAVVA KUTLUCA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL