Passivation of InSb infrared photodetectors
InSb kızılötesi detektörlerin pasifleştirilmesi
- Tez No: 275048
- Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kızılötesi, Kızılötesi algılayıcılar, Kızılötesi kameralar, Kızılötesi ışık, Infrared, Infrared sensors, Infrared cameras, Infrared light
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Kızılötesi dedektörler hem askeri hem de sivil alanda çok geniş uygulamalara sahiptir.En çok kullanılan dedektör çeşitlerinden bir tanesi InSb dedektörlerdir. InSb dedektör teknolojisi1950lerden beri gelişimini sürdürmektedir. InSb dedektör üretiminde en çok kullanılan yöntemlerdenbiri de p-n diyot yapımıdır. Oda sıcaklığında yüksek serbest taşıyıcı yoğunluğuna sahip olan InSb dedektörler etkili çalışabilmeleri için soğutulmalıdırlar, soğutma için tercihensıvı azot kullanılır. 77 K sıcaklığa rağmen, tünelleme, üretme-tüketme ve yüzey kaçağıetkileri gürültüye yani karanlık akıma neden olmaktadır. Sinyal / Gürültü oranının iyileştirilmesiana amaçtır. Gürültüyü azaltmanın yollarından biri de dedektör kenarlarının pasifleştirilmesidir.Kenarların pasifleştirilmesi yüzey durumlarını (asılı bağlar) bertaraf ederek yüzey kaçağındaazalmaya sebep olur. Pasifleştirme işleminde genellikle SiO2 ve SiNx gibi yalıtkan filmlerkullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında, değişik boyutlarda dedektörlerin üretilmesi,akım-voltaj ve tayf tepkisi ölçümleri yapılmıştır. Pasifleştirme için değişik malzemeler kullanılmışve bu değişik işlemlerin sonuçlarının detaylı bir karşılaştırması sunulmuştur.
Özet (Çeviri)
Infrared detectors have wide range applications in both military and civilian life.One of the most commonly used infrared detectors is InSb detectors. InSb detectortechnology has been developing since 1950s. Fabricating p-n diodes todetect infrared radiation is a common way of constructing InSb detectors. Dueto high free carrier concentration at room temperature, InSb detectors need tobe cooled down to operate properly and usually liquid nitrogen is preferred forcooling. However, even at 77 K, tunneling and generation-recombination andsurface leakage are not negligible and these effects result in dark current. Improvingthe photo current-to-dark current ratio is the main goal in design andfabrication of InSb photo detectors. One way of decreasing the dark current ispassivating the exposed edges of the detector to reduce surface leakage current.Passivating the edges can result in decreasing in the surface leakage by eliminatingthe surface states (dangling bonds). Dielectric thin films like SiO2 and SiNxare commonly used for passivation. In this work, different sized detectors arefabricated and characterized by measuring I-V curves and spectral response. Differentapproaches are tested for passivation and a detailed comparison betweendetectors with different treatments is presented.
Benzer Tezler
- Dark current mechanisms and passivation of InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates
Alternatif tabanlar üzerindeki InAsSb kızılötesi fotodiyotların karanlık akım mekanizmaları ve pasivasyonu
ÖZLEM ERSAGUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Development of lead alloys for valve-regulated lead-acid (VRLA) batteries
Valf regülasyonlu kurşun-asit akülerdeki kurşun alaşımlarını geliştirilmesi
ŞAFAK HALICI
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. M. KADRİ AYDINOL
- ZnO ve Sb2S3 ince film tabanlı fotosensör aygıt üretilmesi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of ZnO and Sb2S3 thin film based photosensors
ESRA ASLAN
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MAHARRAM ZARBALİ
- Interface passivation of perovskite solar cells with novel cations
Özgün katyonlar ile perovskit güneş hücrelerinin yüzey pasivasyonu
GÜLSEVİM BENSU YILDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Mühendislik BilimleriOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ
- Optimization of novel passivation and carrier selective layers on crystalline silicon solar cell technologies
Kristal silisyum güneş hücresi teknolojilerinde yeni nesil pasivasyon ve taşıyıcı seçici katmanların optimizasyonu
GAMZE KÖKBUDAK BALDAN
Doktora
İngilizce
2023
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. RAŞİT TURAN