Fotodetektörün fiziksel özelliklerinin incelenmesi için iyonizasyon tipli kızılötesi görüntü çevirici sistemlerin uygulanması
Application of ionization type infrared image converter systems for study of physical properties of photodetector
- Tez No: 268103
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HATİCE HİLAL KURT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kararsızlık, Instability
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Kızılötesi (KÖ) fotodetektör kararsızlıkları KÖ görüntü çevirici sisteminde geniş bir gaz basıncı ( p= 28 ? 342 Torr) , elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 ? 320 µm) ve yarıiletken çapları (D= 12-15 mm) için deneysel olarak araştırıldı. GaAs yarıiletkenli gaz boşalma sisteminin akım voltaj karakteristikleri (AVK) incelendi. Kararlı bir voltajla beslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım kararsızlıkları meydana gelir. K.Ö görüntü çeviricideki kararsızlıkların deneysel şartlara bağlı olarak detektör tarafından oluşturulduğu açıkça gösterilmiştir. AVK' nın N tipli karasızlıkları tespit edildi.EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığı, materyalin N-tipli AVK'sına ve sonuç olarak GaAs detektöre yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Çift boşalma aralığından dolayı, akım- voltaj ve akım- zaman grafiklerinde modülasyon gözlendi. Ayrıca büyük elektrotlar arası mesafeler için histerezis eğrileri elde edildi.
Özet (Çeviri)
Infrared (IR) photodetector instabilities of IR image converter was studied experimentally in a wide range of the gas pressures (p= 28-342 Torr), interelectrode distances (d1 = 50 µm d2 = 50 ? 320 µm) and different diameters (D= 12-15 mm) of the photodetector areas. The current voltage characteristics (CVC) of the double gas discharge system with GaAs semiconductor wasstudied. While being driven with a stationary voltage, it generates current instabilities with different amplitudes of oscillation. It was unambiguously proved that instabilities in the IR image converter may be provoked by a photodetector, depending on the experimental conditions. N-shape instabilities of CVC was determined. The presence of deep electronic levels of defects, socalled EL2 centers, give rise to the N-type NDR of the material, as a consequence, to oscillations in current when a dc voltage of a high enough magnitude is applied to a GaAs photodetector. Due to the gas discharge dual-range, Current-Voltage and Current-Time charts modulation was observed. In addition, for large distance between electrodes, hysteresis curves were obtained.
Benzer Tezler
- Yeni nesil ince filmler ile optoelektronik uygulamaların araştırılması
Investigation of optoelectronic applications with novel thin films
MEHMET DENİZ ÇALIŞKAN
Doktora
Türkçe
2014
Mühendislik BilimleriHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞADAN ÖZCAN
- Synthesis of TiO2 nanorods by hydrothermal method and their opto-electronic device applications
TiO2 nanoçubukların hidrotermal yöntemiyle sentezi ve opto-elektronik aygıt uygulamaları
ÖZGE GÜLLER
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Epitaxial growth of single crystal 3C-SiC thin films and their physical properties
3C-SiC ince filmlerin epitaksiyel olarak kaplanması ve fiziksel özellikleri
İLAYDA MELTEM TAMAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Metalurji MühendisliğiMarmara ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KAŞİF TEKER
- Using nitrogen-vacancy center diamond as a quantum sensor for magnetic anomaly detection
Azot-boşluk merkezli kuantum elmas sensörler ile manyetik anomali tespiti
ÖMERTAHA GÜNGÖR
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ GELİR
- Optimization of geometry of the driving electric field for better detection efficiency of radon decay products
Radon bozunum ürünlerinin daha iyi bir verim ile detekte edilebilmesi için radon deteksiyon sistemin elektrik alan geometrisinin optimizasyonu
ESRA BARLAS
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENAP Ş. ÖZBEN