Description of the electronic structure of solids by the recursion methods
Katıların elektronik yapılarının recursion yöntemi ile tanımlanması
- Tez No: 2676
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Recursion" metodu, elektronik durum yoğunluğu, geçiş metalleri, yan iletkenler. ?iv, Recursion yöntemi, Yarı iletkenler, Recursion Method, electronic densities of states, transition metals, semiconductors. -m, Electronic state density, Semiconductors
- Yıl: 1987
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET KATILARIN ELEKTRONÎK YAPILARININ“RECURSION”YÖNTEMİ İLE TANIMLANMASI El HASAN, Musa Doktora Tezi, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Mehmet TOMAK Kasım 1987, 156 sahife Bu çalışmada, bazı geçiş metallerinin, yarı-iletkealerijı ve NaSn'ın temel olarak lokal durum yoğunluklarının incelenmesi için“recursion”metodu kullanılmıştır. "Retod geometrisi iyi tanımlanmış bir atomlar topağı kullanmaktadır. Atomlararası etkileşmeler bilin diğinde kristal yapıya sahip veya düzensiz topaklar aynı kolaylıkla ele alınabilmektedir. Etkileşmeler bir sıkı-bağlamm Hamiltoniyen'i ile tanımlanmaktadır. Metodun her uygulanmasında başlangıç fonksi yonu, kullanılan bitirme yöntemi, topak büyüklüğü etkilerinin tümü dikkatle analiz edilmiştir. Sonuçlar, eğer bulunuyorsa, daha önce yapılan çalışmalarmki ile iyi bir uyum içindedir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT THE RECURSION METHOD DESCRIPTION OF ELECTRONIC STRUCTURE OF SOLIDS El HASAN, Musa Ph.D. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Mehmet TOMAK November 1987, 156 pages In this work, the recursion method is employed to study basically the local densities of states of some transition metals, semiconductors and NaSn. The method employs a cluster of atoms with well-defined geometry. The crystalline and disordered clusters can be handled with equal ease when the atomic interactions are known. The interactions are defined by a tight-binding Hamil tonian. The effects of starting orbital, terminator used, size of the cluster are all critically analyzed for each application of the method. The results agree well with those of previous studies whenever they are available.
Benzer Tezler
- LMTO yöntemiyle enerji band hesabı ve uygulamaları
Energy band calculation by the LMTO method and its applications
NİHAT TUĞLUOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. HALUK MUTLU
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Zemin mühendisliğinde gerilme şekil değiştirme davranışının sonlu elemanlar yöntemiyle incelenmesi
Stress-strain analysis by finite element method in geotechnical engineering
ELİF YILMAZ
- Hızlı prototip üretim teknolojileri
Başlık çevirisi yok
LEVENT YAĞMUR
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Malzemesi ve İmalat Teknolojisi Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUZAFFER ERTEN