Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Examining the electrical properties of n-Si/Cu ,p-Si/Cu Schottky diodes formed by electrodeposition method
- Tez No: 246491
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel özellikler, Elektrodepozisyon, Schottky diyodları, Schottky eklemi, Schottky engelleri, Schottky kontakları, Electrical properties, Electrodeposition, Schottky diodes, Schottky junction, Schottky barriers, Schottky contacts
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, doğrultucu özellik gösteren metal ? yarıiletken Schottky bariyer diyotlar incelenmiştir. Schottky bariyer diyot, n-Si ve p-Si üzerine elektrodepozisyon yöntemi kullanılarak Cu depozite edilmesiyle oluşturulmuştur. Her iki durumdada oluşan Schottky diyoda ait akım-gerilim karakteristikleri incelenmiş ve elde edilen ln(I)'nın V'ye göre grafiğinden ideal faktör (n) ve bariyer yüksekliği ( ? B) hesaplanmıştır. I ? V ölçümlerinin yanı sıra birde C ? V ölçümleri alınmıştır. Ayrıca Cu filmi sabit akım modu kullanılarak n-tipi Si(100) üzerine elektrodepozit edilmiştir. Cu/n-Si'a ait elektriksel özellikler birkaç farklı sıcaklıkta incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this work, Schottky barrier diode which is a metal ? semiconductor contact and possesses rectifying properties have been observed. Schottky barrier diode was performed by electrodepositing Cu film on n-Si and p-Si substrate. The characteristic of current applied voltage has been investigated and ideality factor (n) calculated by using the slope ln(I) versus V. Also barrier height ( ? B) is found. I ? V measurement is followed by C ? V measurement on the sample. Also Cu film was electrodeposited on n-type Si(100) substrate using constant current mode. The electrical properties of Cu/n-Si were investigated at several temperatures.
Benzer Tezler
- Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan ni/n-GaAs schottky diyotlarının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electrical and optical properties of ni/n-GaAs schottky diodes obtained by electrodeposition
TUĞÇE BATMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Time-resolved spectroscopy on the carrier dynamics of BiVO4 photoanodes for solar water oxidation
Başlık çevirisi yok
ABDULLAH KAHRAMAN
Doktora
İngilizce
2020
KimyaKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SARP KAYA
PROF. DR. ALPHAN SENNAROĞLU
- Design and fabrication of metamaterials for military applications
Askeri uygulamalar için metamalzeme tasarımı ve üretimi
BETÜL YILDIRIM BUDAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
- Electrodeposition of nickel sulfur composite cathodes for lithium-sulfur batteries
Lityum-sülfür pilleri için nikel sülfür kompozit katotlarının elektrodepozisyonu
ATAKAN AYHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Kimya MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DAMLA EROĞLU PALA
- Gözenekli silikon kalıpların elde edilmesi, elektrodepozisyon yöntemi ile gözenekli silikon kalıplar üzerinde metalik Co ve Ag nanoyapıların büyütülmesi, yapısal ve optiksel karakterizasyonu
The fabrication of the porous silicon templates, the growth of the Co and Ag nanostructures onto porous silicon templates by electrodeposition method, structural and optical characterization
ALPER ÇETİNEL
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURCAN ARTUNÇ
YRD. DOÇ. DR. ENVER TARHAN