Geri Dön

Slow light in germanium nanocrystals

Germanyum nanoorgulerde yavaş ışık

  1. Tez No: 246239
  2. Yazar: ÜMİT KELEŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektrik dipol geçiş, Electric dipole transition
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Kuantum uyumlulugu temelli olgular atomik sistemlerde basarıyla uygulanmıstır. Teknolojik uygulamalar icin ilgi yarıiletken malzemelere de kaydırılmıstır. Yarıiletkenlerde atomik kuantum uyumlulugu benzeri etkileri arastıran pek cok calısma yapılmıstır. Bu baglamda, nanoorguler (NO'ler) atomik benzeri elektronik yapıları ile kuantum uyumlulugu etkilerinin gozlemlenmesi icin gelecek vadeden malzemelerdir. Ayrıca, atomik sistemlere kıyasla istikrarlı yapıları, butunlesebilirlik ve daha uzun uyarılmıs kalabilme sureleri, bu malzemeleri teknolojik uygulamalar icin daha uygun hale getirmektedir.Uyguladıgımız atomik gorunur potansiyel temelli elektronik yapı hesabı dahilinde, atomik uyumluluk kuramına dayanan optik Bloch denklemleri turetilmis ve germanyum (Ge) NO'leri icin sayısal yontemlerle cozulmustur. Sonuclar, uyumlu yogunluk salınımları olgusu kapsamında degerlendirilmistir. Sogurma gorungesindeki dar cukurluklar aynı bolgede yuksek dagılımlı gecirgenlik olusturarak yavas ısık gozlemlenmesini saglamıstır. Yavaslama oranının, NO capına ve uygulanan dıs Stark elektrik alanına baglılıgı incelenmistir. Sonuclarımız, Ge NO'lerinde optik ve elektriksel olarak kontrol edilebilecek yavas isik olusturulabilecegini gostermistir.Kuantum uyumlulugunun ve uyarılmıs durum sonumlulugunun alt yapısını olusturan cok parcacık Coulomb etkilesimleri, kuantum sınırlandırılmıs sistemlerde ana oneme sahiptir. Cok parcacık etkilesimlerinin Ge NO'lerin optik tepkileri uzerindeki etkisi arastırılmıstır. Bu amacla yarıiletken Bloch denklemleri turetilmis ve Coulomb etkileri Hatree-Fock yaklasımı kapsamında dahil edilmistir.

Özet (Çeviri)

The phenomena of quantum coherence has been applied with great success in the atomic systems. For optoelectronic applications the interest is inherently directed towards the semiconductor heterostructures. Large number of works have proposed and analyzed the atomic quantum coherence e ? ects in the semiconductors. In this respect, nanocrystals (NCs) are very promising structures for seeking the quantum coherence phenomena due to their atomic-like electronic structure. Furthermore, their robust structure, integrability and larger excitonic lifetimes with respect to atomic systems makes them more promising candidates for the technological applications.Within an atomistic pseudopotential electronic structure framework, the optical Bloch equations (OBEs) originating from atomic coherence theory are derived and solved numerically for Ge NCs. The results are interpreted in the context of coherent population oscillations (CPO). Narrow dips are observed in the absorption pro ? les which corresponds to high dispersions within a transparency window and produce slow light. A systematic study of the size-scaling of slow-down factor with respect to NC diameter and controllable slow light by applying external Stark ? eld are provided. The results indicate that Ge NCs can be used to generate optically and electrically controllable slow light.The many-body Coulomb interactions which underlie the quantum coherence and dephasing are of central importance in semiconductor quantum con ? ned systems. The e ? ects of many-body interactions on the optical response of Ge NCs have been analyzed. The semiconductor optical Bloch equations (SBEs) are derived in a semiclassical approach and the Coulomb correlations are included at the level of Hartree-Fock approximation.

Benzer Tezler

  1. II-VI elektrolüminesans cihazları

    II-VI electroluminescent devices

    MEHMET DOMAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. SAMİ GEZCİ

  2. Electronic structure of low dimensional semiconductor system

    Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik yapısı

    OĞUZ GÜLSEREN

  3. Kullanılmış ve kullanılmamış floresan lambalarda cıva tayini

    Determination of mercury in spent and new fluorescent lamps

    SEÇİL KIRLANGIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA ÖZCAN

  4. Silisyum katkılı Al-Ti-N solar soğurucu kaplamaların üretimi ve karakterizasyonu

    Characterization and production of silicon doped Al-Ti-N solar absorber coatings

    SERDAR SONAY ÖZBAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI

  5. Lageos I ve lageos II için doğruluk analizi

    Başlık çevirisi yok

    GAYE KIZILSU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Jeodezi ve Fotogrametriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Ölçme Tekniği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUHAMMET ŞAHİN