Metal-yalıtkan-yarıiletken (Au/SiO2/N-Si) yapıların elektriksel özelliklerinin I-V ve C-V ölçüm metotları ile incelenmesi
The investigation of electrical characteristics of metal-insulator-semiconduktor (Au/SiO2/N-Si) structures by using I-V and C-V mensurements methods
- Tez No: 245606
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elektriksel analiz, Elektriksel karakterizasyon, Fiziksel değişkenler, Electrical analysis, Electrical characterization, Physical varrants
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, yalıtkan arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (MY) yapılarda yalıtkan tabakanın kalınlığın ve seri direncin elektiriksel karakteristliklere etkisi deneysel akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) metotları ile araştırıldı. Bu ölçümlerden yararlanarak diyotların doyma akımı (Io), idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (?B(I-V)), arayüzey durumların yoğunluğu (Nss), verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND), difüzyon potansiyeli (Vd), Fermi enerji seviyesi (EF) ve yapıların seri direncleri (Rs) elde edilerek literatürle karşılaştırıldı.Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken (MY) arasındaki yalıtkan tabaka (SiO2), kalınlığının ve seri direncin yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this study; the series resistance and the thickness of insulator layer effect on electrical characteristics have been investigedet by using the experimental current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltace (G/ ? -V) meansurement methots. Using these experimental meansurements, the reverse saturation current (I0), ideality factor (n), barrier height (?B(I-V)), the density of interface states (Nss), the donor density (ND), diffusion potentiel (VD), Fermi energy level (EF) and series resistance (Rs) of device were obtained and compared with literatüre.Expersmental results show that both the value of Rs and the thickness of insulator layer strongly affect the electrical characteristics
Benzer Tezler
- Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The preparation of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si structures, investigation of the electrical and dielectric properties based on frequency and temperature
FUNDA PARLAKTÜRK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi
Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier
MURAT SEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Electrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/N-Si MIS contact
Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu
MASOUD GIYATHADDIN OBAID
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Au/n-Si(111) Schottky kontakların elektriksel karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında incelenmesi
The investigation of electrical characteristics of Au/n-Si (111) Schottky barrier diodes (SBDs) in the wide temperature range
BURCU ÇUHA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ