Üçlü alaşım wurtzite AlxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, AlxGa1-xN
- Tez No: 243789
- Danışmanlar: PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bant yapısı, Kristal yapı, Yarı iletkenler, Örgü modelleri (Fizik), Band structure, Crystal structure, Semiconductors, Lattice models (Physic)
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dokuz Eylül Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Geçtiğimiz birkaç yıldır, görünür bölgede ışık yayan diyot ve kısa dalgaboylu lazer diyot uygulamalarına bağlı olarak grup III-nitrat yarıiletkenleri dikkat çekmektedir.Günümüzde III-V bileşiklerinde iki temel yapı kullanılmaktadır: hexagonal wurtzite yapı ve kübik zincblende yapı. Wurtzite yapı, doğrudan band aralığına sahip olduğu için daha sık kullanılmaktadır.Bu tezde, III-V nitratlarının yapısal ve elektronik özelliklerini elde etmek için pseudopotansiyel düzlem dalga yöntemi kullanılarak yoğunluk fonksiyoneli hesapları yapıldı. Sonuçlar, Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (LDA) ve Genelleştirilmiş Gradyent Yaklaşımı (GGA) kullanılarak elde edildi.Zincblende ve wurtzite GaN, AlN bileşikleri ile wurtzite AlxGa1-xN alaşımı için örgü parametresi, yığın katsayısı ve türevleri ile band yapısı gibi bulk özellikler hesaplandı.Hesaplanan bulk özellikleri deneysel ve teorik verilerle karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
In the past few years, group III-nitride semiconductors attract much attention owing to their important application in the visible light emitting diodes (LEDs) and short wavelength laser diodes.Two basic crystal structures of III-V compounds are used today: hexagonal wurtzite structure and cubic zincblende structure. Wurtzite structure is utilized in many applications due to its direct band gap energy.In this thesis, density functional calculations using the pseudopotential plane-wave method were carried out for the structural and electronic properties of III-V nitrides. Results were obtained using both the Local Density Approximation (LDA) and the Generalized Gradient Approximation (GGA).Bulk properties such as lattice constants, bulk moduli and derivatives, and band structures were reported for zincblende and wurtzite GaN, AlN and wurtzite AlxGa1-xN.The calculated bulk properties were compared with the available experimental and theoretical data.
Benzer Tezler
- Plasma-assisted atomic layer deposition of III-nitride thin films
III-nitrür ince filmlerin plazma-destekli atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülmesi
ÇAĞLA AKGÜN
Doktora
İngilizce
2014
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN
SEVİL SARIKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- Üçlü metalik Sn-Sb-Zn alaşım sisteminde elektrik, mekanik ve kristal yapı özelliklerinin araştırılması
In ternary metallic Sn-Sb-Zn alloys system, investigation of the electric, mechanical and crystal structure properties
ALPER TUĞRA ALTINCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BUKET SAATÇİ
- Bazı üçlü metal alaşım ince filmlerinin elektrokimyasal sentezi ve lityum iyon pil anot materyali olarak kullanılmalarının incelenmesi
Electrochemical synthesis of some ternary metal alloy thin films and investigation of them using as anode material for lithium ion batteries
MUHAMMET ARPACIK
- Cu-Mg-Si üçlü alaşım sisteminde magnezyumun aktivite ölçümleri ve faz diyagramının oluşturulması
Activity measurements of Mg in the ternary system Cu-Mg-Si and the construction of its phase diagram
ALİYE ARABACI
Doktora
Türkçe
2004
Metalurji Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İBRAHİM YUSUFOĞLU