The Water adsorption on silicon (110) surface
Suyun silikon (110) yüzeyine bağlanması
- Tez No: 23507
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞENAY KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Ampirik sıkıbağ yöntemi, Si(110) (1x1) yüzeyi, Si(110) - H (Tekhidrojemffaz), Si(110)-H2O (molekül biçiminde bağlanma), Si(110)-OH-H(çözülen türde bağlanma), TDOS (toplam durum yoğunluğu), LDOS (yerel durum yoğunluğu), Amprik sıkı bağ yöntemi, Silisyum, Tek hidrojenli faz, Ampirik sıkıbağ yöntemi, Si(110) (1x1) yüzeyi, Si(110) - H (Tekhidrojemffaz), Si(110)-H2O (molekül biçiminde bağlanma), Si(110)-OH-H(çözülen türde bağlanma), TDOS (toplam durum yoğunluğu), LDOS (yerel du rum yoğunluğu), Empirical tight binding method, Silicon, Water, Monohydride phase
- Yıl: 1992
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz SUYUN SİLİKON (110) YÜZEYİNE BAĞLANMASI AL-HAYEK, Imad Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Şenay Katırcıoğlu Augustos, 1992, 55 sayfa. Bu çalışmada, H atomu ve suyun (H2O), Si(110) yüzeyine bağlanması ampirik sıkıbağ yöntemiyle araştırılmıştır. Si(110) yüzeyi tek hidrojenli faz için H atomlarıyla kaplanmıştır. Si(110) yüzeyi üzerindeki tek hidrojenli faz için hesaplanan durum yoğunlukları, oda sıcaklığı, morötesi electron sökme spektrumunu, açıklamaya yeterlidir. Si(110) yüzeyine H2O molekülünün bağlanma durumlarını anlamak için bir dizi durum hesaplamaları yapılmıştır. İR, EELS, UPS deneysel sonuçların ve daha önce yapılan durum yoğunluğu hesaplarının ışığında, yerel durum yoğunluğu hesaplamaları, molekül biçiminde bağlanmayı ihtimal dışı tutarak, H20'nun Si(110) yüzeyine çözülen türde bağlanmayı açığa çıkarmıştır.
Özet (Çeviri)
oz SUYUN SİLİKON (110) YÜZEYİNE BAĞLANMASI AL-HAYEK, Imad Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Şenay Katırcıoğlu Augustos, 1992, 55 sayfa. Bu çalışmada, H atomu ve suyun (H2O), Si(110) yüzeyine bağlanması ampirik sıkıbağ yöntemiyle araştırılmıştır. Si(110) yüzeyi tek hidrojenli faz için H atomlarıyla kaplanmıştır. Si(110) yüzeyi üzerindeki tek hidrojenli faz için hesaplanan durum yoğunlukları, oda sıcaklığı, morötesi electron sökme spektrumunu, açıklamaya yeterlidir. Si(110) yüzeyine H2O molekülünün bağlanma durumlarını anla mak için bir dizi durum hesaplamaları yapılmıştır. İR, EELS, UPS deneysel sonuçların ve daha önce yapılan durum yoğunluğu hesaplarının ışığında, yerel durum yoğunluğu hesaplamaları, molekül biçiminde bağlanmayı ihtimal dışı tutarak, H20'nun Si(110) yüzeyine çözülen türde bağlanmayı açığa çıkarmıştır.
Benzer Tezler
- Electronic band structure of stepped Si(100) and water-stepped Si(100) systems
Basamaklı Si(100) ve su-basamaklı Si(100) sistemlerinin elektronik band yapıları
SALMAN SAED A.
Doktora
İngilizce
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞENAY KATIRCIOĞLU
- Gördes klinoptilolit rezervinin NH4+ değişimi ve CO2 adsorbsiyonu yardımıyla karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
MAYK MIGIRDİÇ DİNDİSYAN
- Kondüktametrik ve potansiyometrik titrasyon yöntemlerinin MFİ tipi zeolitlerin asit merkezlerinin karakterizasyonuna uygulanması
Başlık çevirisi yok
YASEMİN SÜSLER
- Bazı eser elementlerin adsorpsiyonla zenginleştirilmesi ve alevli AAS ile tayini
Determination of some trace elements in AAS after concentration by modified silicas
HÜRREM İNCE
- Seramik bünye özelliklerinin geliştirilmesinde Ünye Karahamza betonitlerinin değerlendirilmesi
The Development of ceramic body properties by using Ünye Karahamza betonite
MÜNEVVER ÇAKI
