Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diyotların temel elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of temperature dependent basic electrical parameters of Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diodes
- Tez No: 233736
- Danışmanlar: DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüzler, Elektriksel özellikler, MIS, Polivinil alkol, Seri direnç, Interfaces, Electrical properties, Metal insulator semiconductor, Polyvinyl alcohol, Series resistance
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Au/PVA/n-Si (Metal-yalıtkan-yarıiletken) Schottky diyotların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, 80-400K sıcaklık ve ±6V voltaj aralığında 1 MHz için incelendi. Deneysel sonuçlardan, seri dirençten dolayı doğru beslem C-V grafiğinin bir pik verdiği gözlendi. MIS yapının G/w-V eğrilerinde, belirgin bir voltaj değerinde gözlenen kesişme ideal bir MIS davranışa göre beklenmeyen bir durumdur. Elde edilen ölçümlerden Schottky engel yüksekliği (?b), tüketim tabakası genişliği (Wd), arayüzey durumları (Nss), seri direnç (Rs) ve diğer temel elektriksel parametreler hesaplandı. Nss ve Rs değerlerinin önemli ölçüde sıcaklığa bağlı olduğu tespit edildi. Rs değerleri artan sıcaklıkla azalırken, Nss ise artan sıcaklıkla artmaktadır. Ayrıca, MIS yapının 1 MHz yüksek frekansta ölçülen Cm ve Gm/w değerleri, gerçek Cc ve Gc/w değerlerini elde etmek için seri direnç etkisi dikkate alınarak düzeltildi.
Özet (Çeviri)
In this study, the capacitance - voltage (C-V) and conductance - voltage (G/w-V) characteristics of Au/PVA/n-Si (metal-insulator-semiconductor) Schottky diodes have been investigated over a wide temperature and the voltage range of 80- 400K and ±6 V, respectively, at 1 MHz. It is found that in the presence of series resistance, the forward bias C-V plots exhibit a peak. The crossing of the G/w?V curves appears as an abnormality compared to the conventional behavior of ideal MIS diode. From the evaluation of the experimental measurements, Schottky barrier height (?b), depletion layer thickness (Wd), surface states (Nss), series resistance (Rs) and other main electrical parameters were calculated. Nss and Rs values are important parameters that strongly influence the electrical parameters in MIS Schottky diode. When the Rs decreases with increasing temperature, the Nss increases with increasing temperature. In addition, Cm ve Gm/w values measured at 1MHz high frequency were corrected for the effect of series resistance to obtain the real Cc and Gc/w.
Benzer Tezler
- Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi
The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination
UMUT AYDEMİR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- AU/(Fe3O4 -katkılı pva)/n-si schottky diyotlarda (Sds) temel elektriksel parametrelerin arayüzey tuzaklarının yoğunluğunun (dit) ve bunların gevşeme sürelerinin frekans ile gerilime bağlı incelenmesi
The investigation of basic electrical parameters of the AU/(Fe3O4 -doped pva)/n-si schottky diodes (Sds), density of interface traps (Dit) and their relecxation times depend on frequency and voltage
ALPER UZUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN
- Beta radyasyonuna maruz bırakılan au/(PVA:gr)/n-si schottky diyotların elektrik ve dielektrik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of electrical and dielectric parameters of au/(PVA:gr)/n-si schottky diodes exposed to beta radiation
ÖZLEM ABAY
Doktora
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of current-voltage (I-V) measurements of the Au/PVA/n-Si MIS structure on temperature
REYHAN ÖZAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polimer-yarıiletken yapının elektriksel parametreleri üzerine sıcaklık ve frekans etkisi
The effect of temperture and frequency on electrical parameters of au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polymer-semiconductor structure
AYSEL BÜYÜKBAŞ ULUŞAN
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU