Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC tabanlı schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda yüksek enerjili ve düşük dozlu elektronlarla ışınlamanın etkisi
The influence of high energy and low dose electron irradiation on Ni /n-4H-SiC and Ni /n-6H-SiC based schottky and Au/Ni /n-4h-sic and au/ni /n-6h-sic ohmic contacts
- Tez No: 232787
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ni/n-4H- SiC ve Ni/n-6H-SiC Schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda 6, 12 ve 15 MeV enerjili aşamalı elektron ışınlamasının etkileri ortaya çıkarıldı. Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontakların özdirenç değerleri, artan ışınlama enerjisiyle azaldı. Işınlanmadan önce Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontakların özdirenç değerleri sırasıyla (17,1 ? 0,71)x10-5 ? -cm2 ve (5,41 ? 2,89)x10-5 ? -cm2'dir. Elektron radyasyonundan önce düz beslem I-V ölçümlerinde, Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC Schottky diyotlar için idealite faktörü sırasıyla 1.586 ve 1.125 hesaplandı. Elektron ışınlama enerjisi artarken idealite faktörü her iki kontak için arttı. Ni/n-4H-SiC için artan ışınlama enerjisi ile engel yüksekliği yaklaşık olarak 0.80 eV olduğu gözlendi. Ancak, Ni/n-6H-SiC Schottky kontakta ışınlamayla beraber engel yüksekliği 0.656- 0.730 eV'luk bir artış gözlendi. Aynı zamanda C-V ölçümleri kullanılarak engel yüksekliği Ni/n-6H-SiC ve Ni/n-4H-SiC sırasıyla 1.128 ve 1.410 eV olarak belirlendi. Ni/4H-SiC ve Ni/6H-SiC için donor konsantrasyonları sırasıyla 2.12x1015 ve 1.09x1015 cm-3 olarak hesaplandı. İdealite faktöründeki artış her iki diyotta elektron ışınlamayla bant aralığı içerisinde oluşan kusurlar nedeniyle termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı.
Özet (Çeviri)
The effects of sequential electron irradiation (EI) with energies of 6, 12, 15 MeV on Ni/n-4H-SiC and Ni/n-6H-SiC Schottky and Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/6H-SiC ohmic contacts were investigated. Resistivity values of Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/n-6H-SiC ohmic contacts decrease with increasing electron ırradiation. Before electron ırradiation (EI), the resistivity values for Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/n-6H-SiC ohmic contacts are (1,71 ? 0,71) ? -cm2 and (5,41 ? 2,89) ? -cm2 respectively . The forward bias (current-voltage) I-V measurements result in ideality factors of 1.586 and 1.125 for Ni/n-4H-SiC and Ni/n-6H-SiC before EI, respectively. While the energy of EI is increasing, the ideality factor values increase for both SCs. Nearly constant barrier height about 0.80 eV was observed with the increasing energy of EI for the Ni/4H-SiC. However, the Ni/6H-SiC SC shows the increasing barrier height from 0.656 to 0.730 eV with EI. The donor concentrations were calculated 2.12x1015 and 1.09x1015 cm-3 Ni/n-4H-SiC SC and Ni/n-6H-SiC SC, respectively. The increase in ideality factor depicts that the both diodes deviate from the thermionic emission theory in charge transport mechanism, possibly increasing tunneling mechanism due to defects formed the band gap with EI.
Benzer Tezler
- Naftokinon tabanlı iyon sensörlerin geliştirilmesi
Development of ion sensors based on naphthoquinone
ZELİHA MERMER
- Recombinant production and characterization of serine protease enzyme from Virgibacillus sp. AGTR strain using site directed mutagenesis
Virgibacillus sp. AGTR suşundan izole edilen serin proteaz enziminin bölgeye yönelik mutagenez yöntemi kullanılarak rekombinant üretimi ve karakterizasyonu
EVRİM KAPUCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Biyokimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiMoleküler Biyoloji-Genetik ve Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. NEVİN GÜL KARAGÜLER
- A systematic research on rational design and synthesis of innovative materials for developing high-performance perovskite solar cells
Yüksek performans perovskit güneş hücresi geliştirilmesi için yenilikçi malzemelerin mantıksal tasarımı ve sentezi üzerine sistematik bir araştırma
ALİEKBER KARABAĞ
Doktora
İngilizce
2023
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFen Bilimleri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ
DOÇ. DR. SAFACAN KÖLEMEN
- Çukurova Üniversitesi Eğitim Fakültesi Adana ve Hatay Eğitim Yüksekokullarındaki öğrencilerin 1987 ÖSS puanları ile akademik başarılarının karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
KEZBAN KURAN
Doktora
Türkçe
1988
Eğitim ve ÖğretimÇukurova ÜniversitesiEğitim Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DOĞAN ÇAĞLAR
- a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu
The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells
OKAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ