Moleküler demet epitaksi ile üretilmiş pd-zr ince filmlerin karakterizasyonu
Characterization of deposited Pd-Zr thin films by moleculer beam epitaxy
- Tez No: 213996
- Danışmanlar: PROF. DR. EŞREF AVCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Nano yapı, Nanoteknoloji, İnce filmler, Nano structure, Nanotechnology, Thin films
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sakarya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü
- Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemi özellikle yarıiletken malzemelerin üretiminde kullanılan bir yöntemdir. MBE tekniği farklı bileşimlerin ve alaşımların epitaksiyel olarak büyümesine imkan tanır.Bu çalışmada Pd-Zr alaşımlarının MBE yöntemi ile ince film şeklinde üretimi sağlanmış ve ısıl işlemlerine bağlı olarak tane büyümesi faz değişimleri incelenmiştir. Pd-Zr alaşımı Si wafer üzerine MBE yöntemiyle biriktirilmiştir. Pd80-20Zr, Pd81-19Zr, Pd83-17Zr ve Pd85-15Zr ince filmleri 60°C'de 1 saat ön ısıtılmış, sonra 400°C ve 800°C'de ısıl işleme tabi tutulmuştur.Isıl işlem öncesinde ve sonrasında elde edilmiş ince filmlerin karakterizasyon işlemleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışınları difraktometresi (XRD) ve EDX analizi kullanılarak gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
Molecular beam epitaxy is also used for the deposition of some types of semiconductors. MBE (molecular beam epitaxy) techniques allow the epitaxial growth of different compounds.In this study, thin films of Pd-Zr alloys have been manufactured by MBE techniques and the grain growth and phase changes have been analyzed due to the heat treatment processes. The thin films of Pd-Zr alloy have been deposited onto Si wafers. After pre heating of Pd80-20Zr, Pd81-19Zr, Pd83-17Zr and Pd85-15Zr thin films at 60°C for 1 hour, heat treatment processes we made at 400°C and 800°C for 24 hours.The characterization of the manufactured thin films before and after heat treatment processes have been performed by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffractometer (XRD) and EDX analyses.
Benzer Tezler
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Moleküler demet epitaksi tekniğiyle üretilen Al0.6Ga0.4As/GaAs tekli kuantum kuyulu yapının optiksel ve yapısal özellikleri
An investigation of optical and structural properties of the growth AlGaAs/GaAs mono quatum well semiconductor structure by molecular beam epitaxy
VEYSEL ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Y.DOÇ.DR. ORHAN ZEYBEK
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi
The growth of AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanostructure and the investigation of I-V properties
HİLAL GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri
The raman properties of semiconductor compounds
ELİF GÜÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL