ZnO ince filmlerinin eldesi ve aygıt üretimi için parametrelerinin optimizasyonu
Deposition of thin ZnO films and parameter optimization for device production
- Tez No: 212529
- Danışmanlar: PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnO, Katodik Vakum Ark Depolama Yöntemi, Optiksel, Yapısal ve Elektriksel Özellikler, Elektriksel özellikler, Optik özellikler, Yapısal özellikler, Çinko oksit, ZnO, Cathodic Vacuum Arc Deposition System, Optical, Structural and Electrical Properties, Electrical properties, Optical properties, Structural properties, Zinc oxide
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ZnO yarıiletken ince filmler atmalı filtreli katodik vakum ark depolama sistemiyle cam ve silikon alt tabanlar üzerine oda sıcaklığında depolandı. Filmlerdeki kristal boyut ve kristallografik yapı X-ışını kırınım yöntemiyle belirlendi. Tüm filmlerin (002) boyunca tercih edilen bir yönde ve vurtzit formda kristalize olduğu görüldü. ZnO yarıiletken ince filmlerin optik özellikleri, UV-görünür spektrometreden alınan veriler yardımıyla zarf metodu yöntemi kullanılarak belirlendi. Tavlama sıcaklığı artarken filmlerin optiksel bant aralığı ve soğurma katsayısının arttığı, buna karşılık olarak kırılma indisinin azaldığı gözlenmiştir. Atmalı katodik vakum ark yöntemi ile cam alt taban üzerine büyütülen ZnO ince filmlerin en iyi tavlama sıcaklığı, optik ve yapısal özellikleri göz önüne alınarak 600 °C olduğu bulundu. Yüksek nitelikli geçirgen, iletken ZnO yarıiletken ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özellikleri farklı oksijen basınçları ve farklı kalınlıklarda çalışıldı. Oksijen basıncı ve kalınlığın artması ile filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin değiştiği görüldü. ZnO ince filmlerin görünür bölgede ortalama geçirgenliği %90 civarında bulundu.
Özet (Çeviri)
Thin ZnO films were deposited at room temperature on glass and silicon substrates by a pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition system. The crystallographic structure and the size of the crystallites in the films were studied by means of x-ray diffraction. These measurements show that all the films are crystallized in the wurtzite form, present in a preferred orientation along the (002) direction. Optical properties of the ZnO films were studied using a UV?visible spectrometer and calculations made using the envelope method. The absorption coefficient and optical band gap of the films were increased while the refractive index was decreased by annealing. The best annealing temperature for pulsed cathodic vacuum arc deposition grown ZnO thin films on glass substrates was found to be 600 °C from optical properties. The effects of oxygen pressure and thickness on the structural, optical and electrical properties of high quality transparent conductive ZnO thin films were studied in detail. With increasing oxygen pressure and film thickness, structure, optical and electrical properties of films were changed. Average transmittance was found about 90% in the visible region for the ZnO thin films.
Benzer Tezler
- Alüminyum katkılı ZnO ince filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of alüminum doped ZnO thin films
OLCAY EREN
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MÜJDAT ÇAĞLAR
- Kalay katkılı ZnO ince filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of tin doped ZnO thin films
SEVAL AKSOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. YASEMİN ÇAĞLAR
- Püskürtme yöntemiyle Zno/CdTe ince film güneş pilleri yapımı
Başlık çevirisi yok
ABUZER TÜRKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REMZİ ENGİN
- İndiyum katkılı ZnO ince filmlerin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of indium doped ZnO thin films
BARIŞ DEMİRCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SALİHA ILICAN
- Sol-gel yöntemiyle üretilen nanokristal ZnO:Ga ince filmlerinin optik ve mikroyapısal özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optic an microstructure properties of nanocrystal sol-gel derived ZnO:Ga thin films
YUSUF BİLGEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AHMET YAVUZ ORAL