Yarı iletken elemanların model parametrelerinin çıkarımına yönelik yeni bir yaklaşım
A new approach for semiconductor devices model parameters' extraction
- Tez No: 212238
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. GÜRSEL DÜZENLİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletkenler, Diyot, BJT, Semiconductors, Diode, BJT
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sakarya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
Özet çevirisi mevcut değil.
Benzer Tezler
- Statistical design and yield enhancement of low voltage cmos VLSI circuits
Düşük gerilimli analog VLSI devrelerin istatistiksel tasarımı
TUNA B. TARIM
Doktora
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN
- Extraction and scling of TOM model parameters of GaAs MESFETS
GaAs MESFET'lerin TOM model parametrelerinin bulunması ve ölçeklendirilmesi
ABDULLAH ÇELEBİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CANAN TOKER
- Fırçasız doğru akım makinelerinde konum algılayıcısız hız denetimi
Sensorless speed control of brushless DC machines
NAMIK YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. M. EMİN TACER
- Fotovoltaik üreteç parametrelerinin bilgisayar ile ölçüm ve değerlendirilmesinde kullanılacak bir elektronik düzenin geliştirilmesi
Ein Computer gesteurtes messwerterfassungssystem zur beobachtung eines fotovoltaischen energieerzeugers
FATİH BÜLENT BAYAT
- Switching mode power supply and fly back converter design
Başlık çevirisi yok
ERKİN CÜCE
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMİN TACER