CdTe kristalinde taşıyıcı yük yoğunluğunun etkin iki-seviye modeli ile sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of carrier concentration as a function of temperature by two-level affective model in CdTe crystals
- Tez No: 202895
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CdTe, elektriksel özellikler, Hall etkisi, H2T-VPE, X- isin detektörleri, CdTe, Electrical properties, Hall effect, H2T-VPE, X-ray detectors
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalismasinda Hidrojen Tasimali Buhar Fazi Epitaksi (H2T-VPE) yöntemiyle yalitkan ZnTe/(100)GaAs tabanlar üzerine büyütülen n-CdTe tek kristal ince filmlerin (epilayers) sicakliga bagli elektriksel özellikleri (özdirenç ve Hall tasiyici hareketliligi) incelenmistir. Çiftli kristal X- isini kirinim desenleri ince filmlerin yüksek kaliteli kristal bir yapiya sahip olduklarini gösterdi. Büyütme sicakligi ( G T ) 650oC' den küçük olan sicakliklarda büyütülen ince filmlerin iletkenlik türü p- tipi iken üzerindeki sicakliklarda n-tipi özellik sergilediler. Farkli kalinliklarda, ? 764 G T oC' de büyütülen n-tipi filmlerin Hall ölçümleri oda sicakliginda tasiyici yük yogunlugunun 1011-1014 cm-3 arasinda oldugunu gösterdi. Ince filmlerin yogunlugu, ve Hall hareketliligi prensip olarak etkin iki seviye modeli ile açiklanabilir. Oda sicakliginda örgü ve katki atom saçilmalarinin elektron hareketliligini sinirladigi saptandi. Etkin iki seviye modeli, kalinligi ?22 ?molan ince filmin, yogunlugu en fazla olan ilk verici seviyesi, ~1018 cm-3 yogunlugundaki alici seviyesini kismen dengeledigi; aktivasyon enerjisi, ? 189meV d E olan ikinci verici seviyesinin ise filmin elektriksel özelliklerini belirledigi saptandi. Bu filmin dengeleme oraninin 0.9997 oldugu belirlendi. Her iki verici seviyesinin GaAs tabandan Ga atomlarinin yayilimi sonucu olustugu tahmin edilmektedir. V
Özet (Çeviri)
Electrical characterisation of n-CdTe epilayers grown by Hydrogen Transport Vapour Phase Epitaxy (H2T-VPE) on insulating ZnTe/(100)GaAs substrates through the temperature dependent Hall measurements is reported. Double-crystal X-ray diffraction assessments indicate the material high crystalline quality. Samples grown at temperatures, TG ? 650oC were p-type, but appeared to be n-type for the temperature above G T ? 650oC. Hall measurements performed on n-type samples of different thicknesses grown at ? 764 G T oC showed room temperature carrier densities in the range of 1011-1014 cm-3. The electron density and Hall mobility characteristics may be in principle well explained with a two-level effective model. The model of scattering by lattice and ionised impurity were found to be limiting dominantly the room temperature electron mobility. For a ?22 ?m thick CdTe epilayers two donor levels were mainly estimated: The first, most abundant compensates partly 1018 cm-3 density of acceptors while the second with activation energy, ? 189meV d E determines n-type electrical properties. A compensation ratio, 0.9997 holds for this epilayer. These could be possible formed through the diffusion of Ga atoms from GaAs into CdTe. VII
Benzer Tezler
- İnvestigation of thin film Cds/CdTe heterojunction devices
İnce film n-cds/p-CdTe heteroeklem aygıtların incelenmesi
HABİBE MAMIKOĞLU
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Cu difüzyonunun CdTe filmlerin elektriksel ve optik özelliklerine etkisi
The effect of Cu diffusion on electrical and optical properties of CdTe films
NİMET YILMAZ CANLI
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Klorlu katkıların CdTe filmlerinin elektrik, fotoelektrik ve optik özelliklerine etkisi
The effect of clourite dopes on the electrical, photoelektrical and optical properties of CdTe films
FATİH ONGÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Au/CdTe ve Ag/CdTe eklemlerin yapısal ve opto-elektronik özellikleri
Structural and opto-electronic properties of Au/CdTe and Ag/CdTe junctions
MURAT ÇALIŞKAN
Doktora
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TAYYAR CAFEROV
- Çok kristalli CdTe ince filmlerinin optiksel özellikleri: Optiksel sabitlerin“zarf yöntemiyle”saptanması
Optical properties of polycrystalline cdte thin films: Determination of optical constants by“envelope method”
BENGÜL ZENCİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT BAYHAN