Al/P2ClAn(C2H5(COOH))/P-Si/Al yapılarda akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
The study of the current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Al/P2ClAn(C2H5(COOH))/P-Si/Al structures
- Tez No: 200527
- Danışmanlar: PROF.DR. ALİ KÖKCE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, polimer arayüzey, frekans bağlılığı, arayüzey hallerinin yoğunluğu, Schottky diyodları, Schottky Diode, polymer interfacial layer, frequency dependence, density of interface states, Schottky diodes
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Al/P2ClAn(C2H5(COOH)(poly(2-chloroaniline))/p-Si/Al Schottky diyodunun üretiminde [100] doğrultusunda büyütülmüs, 1 cm özdirence sahip p-Si kullanılmıstır. Akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ölçümlerinin yardımıyla, diyodun karakteristik parametreleri elde edilmistir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında ve vakum ortamında gerçeklestirilmistir. Diyot ideal olmayan karakteristikler göstermistir. Bu durum arayüzey durumlarına ve doğal oksit tabakası ile yüksek dirençli polimerden olusan arayüzey tabakasına atfedilebilir. I-V karakteristiğinden, sıfır beslem engel yüksekliği (bp,0) 0,787 eV, idealite faktörü (n) 4,84 olarak elde edilmistir. Seri direnç (Rs) ise Cheung fonksiyonlarının yardımıyla bulunmustur. Diyodun C-V karakteristiği farklı frekanslar için incelenmistir. ?ncelenen karakteristiklerin genis frekans dağılımı gösterdiği gözlenmistir. Bu duruma sebep olarak yarıiletken ile termal dengede olan arayüzey halleri gösterilebilir. Ayrıca, Schottky diyodunun; kesisim voltajı (V0), engel yüksekliği (bp), idealite faktörü (n=1/c2), Fermi seviyesi (Ef) gibi karakteristik parametreleri farklı frekanslar için C-2-V grafiklerinden elde edilmistir. Engel yüksekliği, arayüzey hallerinin yoğunluk dağılımı tarafından etkili bir sekilde kontrol edildiği için arayüzey hallerinin yoğunluğunun ve zaman sabitinin uygulanan gerilimle değisimi, Schottky kapasite metodu (SCS) yardımıyla bulunmustur. Al/P2ClAn(C2H5(COOH)(poly(2-chloroaniline))/p-Si/Al Schottky diyodunun bulunan bütün karakteristik parametreleri gözönüne alındığında, bu diyodun MOS (Metal-Oksit- Yarıiletken) davranısı gösterdiği söylenebilir.
Özet (Çeviri)
P-Si with[100] orientation which has 1 cm resistivity has been used to fabricate Al/P2ClAn(C2H5(COOH)(poly(2-chloroaniline))/p-Si/Al Schottky diode. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the current-voltage (I-V) and the capacitance-voltage-frequency (C-V-f) measurements. All the measurements were performed in vacuum at room temperature. The diode has showed non-ideal characteristics. This case can be attributed to the interface states and interfacial layer which is composed of native oxide layer and high resistivity polymer. A zero bias barrier height (bp,0) valueof 0,787 eV and ideality factor (n) value of 4,84 have been obtained from I-V characteristic and the series resistance (Rs) of diode were calculated from Cheung?s functions. C-V characteristics of diode were investigated for various frequencies. These characteristics showed large frequency dispersion, possibly caused by the interface states in thermal equilibrium with the semiconductor. Furthermore, the characteristic parameters of Schottky diode such as intercept voltage (V0), barrier height (bp), ideality factor (n=1/c2), Fermi level (Ef) were determined from C-2-V characteristics for various frequencies. Since the barrier height is controlled by the density distribution of the interface states, the variation of interface states density and relaxtion time with applied bias voltage were obtained from SCS (Schottky Capacitance Spectroscopy) method. Two types interface states which called fast and slow states were observed. Taking into all characteristic parameters of the Al/P2ClAn(C2H5(COOH)(poly(2-chloroaniline))/p-Si/Al Schottky diode, it may be said that the diode has shown MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) properties.
Benzer Tezler
- Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al yapılarda elektriksel parametrelerin sıcaklığa bağlılığı
The temparature dependence of electrical parameters for Al/P2ClAn(C2H5COOH)/p-Si/Al structure
ZEYNEP KOTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Eğitim fakülteleri müzik eğitimi bölümlerinde okutulmakta olan dikey ve yatay çokseslendirme dersleri öğretim programlarının incelenmesi
An Analysis of perpendicular and horizontal polyphony course programmes in the music department of the education faculty
ATİLLA SAĞLAM
- Performance evaluation of database systems
Başlık çevirisi yok
AL-AQTASH BAKER
Yüksek Lisans
İngilizce
1988
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF. DR. ZİYA AKTAŞ
- Al-Si12 alaşımının metalik sodyum ile modifikasyonu
Modification of Al-Si12 alloy with metalic sodium
KADİR KOCATEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Ö. ERTUĞRUL ATASOY