InGaP yarı iletkeninde mobilite analizi
Mobility analysis in InGaP semiconductors
- Tez No: 200034
- Danışmanlar: PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: InGaP, Elektron İletimi, Hall Mobilitesi, ISBE, InGaP, Electron tranport, Hall mobility, ISBEPage Number : 53Adviser : Prof. Dr.Tofig MAMMADOV
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
InGaP YARIİLETKENİNDE MOBİLİTE ANALİZİ(Yüksek Lisans Tezi)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2007ÖZETBu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütmeyöntemi ile GaAs üzerine büyütülen n tipi In0,5Ga0,5P yarıiletkeninin elektroniletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hall Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hall Mobilitesi, ISBE ve iki bant modelikullanılarak analiz edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ise Park modeli kullanılarakanaliz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisitahmin edildi.Bilim Kodu : 202.1.003
Özet (Çeviri)
MOBILITY ANALYSIS IN InGaP SEMICONDUCTORS(M.Sc. Thesis)Sedef Şebnem TUNALIOĞLUGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYJanuary 2007ABSTRACTIn this work, electron transport properties in n type In0,5Ga0,5P semiconductorgrown on GaAs by MOVPE crystal growth technique have been investigated.Conductivity, Hall mobility and carrier concentration were measured at thetemperature range 15-350K. Hall mobility has been analysed using ISBE andtwo band model. Hall carrier concentration has been analysed by using thePark model. Acceptor, donor impurity concentrations and donor activationenergy were also estimated experimentally.Science Code : 202.1.003
Benzer Tezler
- Molibden katkılı bivo4 katalizörlerinin geliştirilmesi,karakterizasyonu ve fotokatalitik etkinliklerinin incelenmesi
Development and characterization of molibden metal doped bivo4 catalysts and investition of their photocatalytic activities
TUĞBA YALÇIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- Organik tabanlı güneş hücrelerinde kullanılabilecek ftalosiyaninlerin hesapsal olarak araştırılması, tasarımı ve sentezi
Design, computational screening and synthesis of novel phthalocyanines as organic based solar cell materials
MERAL ARI
- GaSe ve GaSe:Cd yarı iletkeninin büyütülmesi,yapısal, optik ve elektriksel özeliklerinin incelenmesi
Investigation of growth, structural, optical and electrical properties of GaSe and GaSe:Cd semiconductors
AFSOUN ASHKHASI
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- ZnO based photo-thin-film-transistors with actively tunable photoresponse in the visible spectrum
Görünür ışığa tepkisi aktif olarak ayarlanabilen ZnO bazlı foto-ince-film- transistörler
LEVENT ERDAL AYGÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Alkil sübstitüentli ditiyenotiyofenlerin sentezi ve elektronik özelliklerinin incelenmesi
Syntheses of alkyl substituted dithienotiophenes and investigation of their electronic properties
FATMA DİKÇAL