Si üzerine büyütülmüş Au (111) yüzeyinin taramalı tünellemeli mikroskop ile incelenmesi
Investigation of Au (111) on Si surface by means of scanning tunneling microscopy
- Tez No: 184569
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. GÖKAY UĞUR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde taramalı tünellemeli mikroskop (STM) kullanılarak Si alt taş üzerineAu(111) yüzeyinin yeniden yapılanması ölçüldü. STM ölçümleri 2.10-10 mbarbasıncın altında, oda sıcaklığında ve sabit akım modunda yapıldı. Buçalışmadaki bütün STM görüntüleri tünelleme akımının 0,372 nA ve boşlukgeriliminin +0,421 V değerinde alındı. Bütün tünelleme deneylerindeelektrokimyasal olarak aşındırılmış Pt uç kullanıldı. Altın için iyi bilinen 0,288nm'lik atomlar arası mesafe ile ölçülen â 0,261 nm'lik mesafe uyum içindedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, we have measured reconstruction of the Au (111) surface on Si byscanning tunneling microscopy (STM). The STM observation were done in theconstant current mode at room temperature at a pressure below 2.10-10 mbar.All the STM images were taken at a tunneling current of 0,372 nA and a samplegap voltage of +0,421 V. Electrochemically etched Pt tips have been used for alltunneling experiments The observed atomic spacing of â 0,261 nm compareswell with the known gold interatomic distance of 0,288 nm.
Benzer Tezler
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin I-V ve C-V karekteristiklerine etkileri
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin 1-V ve C-V karakteristiklerine etkisi
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE
- CdS, CdSe ve CdTe bileşik yarıiletken ince filmlerinin aynı çözeltiden elektrokimyasal olarak au(111)elektrodu üzerinde büyütülmesi ve AFM, STM, XRD ve UV-VIS spektroskopisi ile karakterizasyonu
Electrochemical growth of CdS, CdSe and CdTe compound semiconductor thin films on au(111) electrode from single deposition bath and characterization by AFM,STM, XRD and UV-VIS spectroscopy
İLKAY ŞİŞMAN
- Sn/PPy/n-Si/Au-Sb yapının bazı karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı akım-voltaj, kapasite-voltaj ve kapasite-frekans ölçümlerinden tayin edilmesi
Determining the some characteristic parameters of Sn/PPy/n-Si/Au-Sb structure from current-voltage, capacitance-voltage and capacitance-frequency measurements as a function of temperature
ŞAKİR AYDOĞAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Aynı şartlar altında hazırlanmış Au/n-Si/Au-Sb MIS Schottky diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki ilişki
The Relation between the ideality factor and the barrier height of Au/n-Si/Au-Sb MIS Schottky diodes prepared under the same conditions
FULYA ESRA CİMİLLİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM