Azot içeren düşük boyutlu yarıiletkenlerde foto olayların incelenmesi
An investigation of the photo effects in nitrogen containing low dimensional semiconductor
- Tez No: 184464
- Danışmanlar: PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada GaxIn1-xNyAs1-y ve GaxIn1-xAs kuantum kuyularına sahip düşük boyutluyarıiletkenlerde foto olaylar incelenmiştir.30K ile oda sıcaklığı arasında yapılan Fotoiletkenlik ve Fotovoltaj deneyleri ileörneklerin geçiş enerjileri ve optik kalitesi belirlenmeye çalışılmıştır. İncelenen örnekleraynı yapıya sahiptir, farklı olarak örneklerden birine termal tavlama işlemiuygulanmıştır. Örneklerden elde edilen sonuçların karşılaştırılmasıyla, termaltavlamanın örneklerin optik kalitesini arttırdığı ancak GaInNAs ve GaInAs yapılarındabant aralığının genişlemesine sebep olduğu anlaşılmıştır. Bant aralığındaki genişleme,Azot atomunun en yakın komşu konfigürasyonundaki değişim ve kuantum kuyusuylaengel tabakaları arasında Ga-In atomlarının difüzyonu ile açıklanmıştır.Elde edilen sonuçlar GaInAs yapısına çok düşük oranlarda Azot (N) katılmasıyla bantaralığının belirgin bir biçimde daraldığını göstermiştir. Bundan dolayı Azot içerendüşük boyutlu yarıiletkenlerin optik haberleşme sistemlerinde 1.3µm ve 1.55µm dalgaboylarında çalışan aygıt yapımında kullanılabileceği düşünülmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, the photo effects were investigated in the low dimensional GaxIn1-xNyAs1-yand GaxIn1-xAs quantum well structures.The optical quality and inter band transition energies were obtained byPhotoconductivity and in-plane Photovoltage experiments at temperatures between 30Kand room temperature. Two samples with same structure were used in the experiments:one of them is thermal annealed and the other one is as-grown. The effects of thethermal annealing were investigated by comparison of the both Photoconductivity andin-plane Photovoltage results for as-grown and annealed samples. The obtained resultsshowed that the annealing process not only improves the optical quality of the samplesbut also causes blueshift of the effective energy band gaps of GaInAs and GaInNAsquantum wells. This obtained blueshift behaviour was explained by redistribution of thenearest neighbour atoms around N and fluctuations of the well width due tointerdiffusion of Ga-In atoms.The results also indicated that incorporation of a few percent of nitrogen into the latticeof GaInAs has drastic effects on its band structure resulting in band gap reduction.Therefore, it is concluded that N-containing low dimensional semiconductor systems arevery promising for the 1.3µm and 1.55µm windows of the optical communication.
Benzer Tezler
- Production of water resistant coal briquettes by the use of humic acid as binder
Bağlayıcı olarak hümik asit kullanarak suda dayanıklı kömür briketlerinin üretilmesi
MEHMET YILDIRIM
Doktora
İngilizce
1995
Maden Mühendisliği ve MadencilikOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF.DR. GÜLHAN ÖZBAYOĞLU
- Preparation conditions and characterization on YBCO superconductors
Başlık çevirisi yok
SEDA OKUMUŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. KEMAL KOCABAŞ
- Yeni tip çözülür titanyum ftasiyaninlerin sentezi
Synthesis of new soluble titanium phthalocyanines
YASİN ASLANOĞLU
- Zeolite filled polmeric gas separation membranes
Zeolit katkılı polimerik gaz ayırma membranları
ÇİĞDEM ATALAY
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. BİLGÜL TANTEKİN ERSOLMAZ
