Azot iyonları ekilmiş tabakalı galyum selenit kristallerinde fotolüminesans
A photoluminescence study of n ions implanted gallium selenide layered crystals
- Tez No: 182867
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEVLÜT KARABULUT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Galyum Selenit, Bridgman Metodu, EksitonFotolüminesansı, yon Ekme Metodu, Gallium Selenide, Bridgman Method, ExcitonPhotoluminescence, Ion Implantation Method
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kafkas Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Son yıllarda Galyum Selenit(GaSe) tabakalı kristalleri, kristal yapısı vefotoelektronik cihazlardaki potansiyel uygulamalarından dolayı büyük ilgigörmektedir. Özellikle farklı metotlar kullanılarak katkılanan GaSe kristallerinineksiton fotolüminesansı geniş olarak araştırılmaktadır.Bu çalışmada GaSe tabakalı kristalleri geleneksel Bridgman metodukullanılarak büyütüldü ve iyon ekme tekniği kullanılarak katkılandı. Büyütülen bukristaller 60keV enerjili 6x1014 iyon/cm2 dozunda ve 100keV enerjili 1016iyon/cm2dozunda N+ iyonlarıyla c-eksenine paralel olarak bombardıman edildi. 20-300Ksıcaklık aralığında saf ve farklı dozlarda N+ iyonları ekilmiş GaSe kristallerindeeksiton fotolüminesansı araştırıldı. Bu katkılamanın sonucu olarak eksitonfotolüminesans pikinin şiddetinin azaldığı gözlendi. Bunun yanı sıra eksitonfotolüminesansındaki azalmanın yüksek dozda iyon ekilen numuneler için dahayüksek olduğu görüldü. Ayrıca eksiton-fonon etkileşmesinde belirleyici olanfononların enerjisi, saf numune için hÏ p = 18meV , 1014iyon/cm2 dozunda N+iyonları ekilmiş GaSe kristali için hÏ p = 17 meV ve 1016iyon/cm2 dozunda N+iyonları ekilen numune için de olarak bulunmuştur. GaSehÏ p = 15meVkristallerinde farklı dozlarda N iyonlarının ekilmesi sonucu gözlenmesi beklenenheteroeklem davranışı gözlenilememiştir. Numunelerin tavlanmaması ve bu yüzdenN-iyonlarının elektriksel olarak aktif olan uygun alt örgü noktalarına dahilolmamalarının heteroeklem davranışının gözlenilememesinin nedeni olduğudüşünülmektedir.
Özet (Çeviri)
In recent years, Gallium Selenide(GaSe) layered crystals attractedconsiderable attention because of the crystal structure of this material and potentialapplications in photoelectronic devices. Especially exciton photoluminescence ofGaSe crystals which are doped using different methods has been being widelyinvestigated.n this study, GaSe layered crystals were grown by the conventionalBridgman method and doped by using ion implantaion technique. This as-growncrystals were bombarded in the direction paralel to c-axis by N ion beams of about60 keV ions with 6x1014 ions/cm2 doses and 100keV ions 1016 ions/cm2 dose.Exciton photoluminescence investigated in undoped and N-implanted GaSe<N>crystals in the 20-300K temperature range. It was observed that the intensity of theexciton photoluminescence peak decreased as a result of these implantations.However, the decrease in the exciton photoluminescence peak found to be higher forhigher doses of implanted ions. The energy of phonons that are involved in theexciton-phonon interaction are found to be hÏ p = 18meV for undoped sample,hÏ p = 17 meV for 1014 ion/cm2 N-ions implanted sample and hÏ p = 15meV for 1016ion/cm2 N-ions implanted sample, respectively. The heterojunction behaviorexpected to be seen in N-ion implanted samples has not been observed. The sampleswere not annealed and thus N-ions have not been incorporated into the appropriatelattice sites where they could be electrically active which is thought to be the reasonfor not observing the heterojunction behavior.
Benzer Tezler
- Organo-kil bileşiklerinin hazırlanması, karakterizasyonu ve 2,4-D'nin çözeltiden adsorpsiyonunda kullanılması
Başlık çevirisi yok
GÜLTEN AKÇAY
- I-(alfa, alfa-difenil-alfa-hidroksiasetil)-4-sübstitüe tiyosemikarbazitleri ile bunlardan türeyen 1, 2, 4-triazolin-5-tionların sentezi ve spektroskopik verileri
Başlık çevirisi yok
ESER İLHAN
Doktora
Türkçe
1988
Eczacılık ve Farmakolojiİstanbul ÜniversitesiFarmasötik Biyokimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEDİME ERGENÇ
- Biocompatibility and microstructural characterization of PVD coated and nitrogen implanted Co-Cr alloy
Azot implante edilmiş ve PVD kaplanmış Co-Cr alaşımının mikroyapı karakterizasyonu ve biyouyumluluğu
UĞUR TÜRKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ORHAN ÖZTÜRK
- İyon implantasyonu yöntemiyle yüzeyi farklı tip elementlerle modifiye edilmiş 316 L tipi paslanmaz çeliğin yüzey karakteristiklerinin karşılaştırılması
The Comparision of surface characteristics of modified 316 L type stainless steel with various elements by ion implantation
İBRAHİM ETEM SAKLAKOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Makine MühendisliğiCelal Bayar ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. VURAL CEYHUN
PROF. DR. AHMET ÖZTARHAN
- Suda çözünmüş organik azotlu bileşiklerin fotokatalitik degradasyonla tayini
The determination of dissolved organic nitrogen compounds by photocatalytic degradation
NESUHİ AKDEMİR