Kimyasal püskürtme sisteminde osilatör frekansının ZnO ve alaşımlarının elektrooptiksel özelliklerine
The effects of oscillator frequency on the electrooptical properties of ZnO and its alloys prepared by spray pyrolysis
- Tez No: 182208
- Danışmanlar: DR. TAYYAR GÜNGÖR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Saydam iletken oksit (SİO), kimyasal püskürtme (KP), optik ve elektriksel karakterizasyon, ZnO, CdO ince filmleri, Transparent conductive oxide (TCO), spray pyrolysis (SP), optic and electrical characterization, ZnO, CdO thin films
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Yapılan çalışmada 2,4 MHz ve 100 kHz osilatör frekansına sahip iki kimyasalpüskürtme sistemi kurularak alttaş sıcaklığı, itici gazın akış hızı ve alttaş püskürtmebaşlığı arası mesafe gibi optimum biriktirme koşulları belirlendi.İki ZnO ve bir ZnxCd1-xO olmak üzere üç örnek gurubu hazırlandı. Birinci grup ZnOfilmler, 0,02-0,1 M püskürtme çözeltileri ile (0,02 M'lık adımlarla) ve 250-500 0Calttaş sıcaklıklarında (50 0C'lik adımlarla) osilatör frekansı 2,4 MHz olan kimyasalpüskürtme sisteminde hazırlandı. Hazırlanan birinci grup ZnO filmlerin optikgeçirgenlikleri görünür bölgede % 85'in üzerindedir. 400 0C alttaş sıcaklığındahazırlanan filmlerin grain boyutları, optik parametreleri ve aktivasyon enerjilerihesaplandı. Optik geçirgenlik spektrumunda sonlu sayıda girişim saçaklarıgözlenmemesi sebebiyle, optik parametreleri Birgin ve arkadaşlarının (1999)geliştirdiği ?Pointwise Unconstrained Minimization Algorithm? PUMA adlı yöntemkullanılarak hesaplanmıştır. 400 0C alttaş sıcaklığında hazırlanan birinci grup ZnOfilmlerin optik geçirgenlik spektrumundan yararlanarak hesaplanan optik bantaralıkları 3,21-3,24 eV arasında değişmektedir. Bu gruba ait filmlerin grainboyutları 44-60 nm arasında değişmektedir. Karanlık iletkenlik ölçümleri sonucu411-427 K aralığında yarıiletken-metal geçişinin gerçekleştiği görülmüştür.İkinci grup ZnO filmler 100 KHz osilatör frekansına sahip kimyasal püskürtmesisteminde, 0,02-0,1 M püskürtme çözeltileri ile (0,02 M'lık adımlarla) ve 400 0Calttaş sıcaklığında hazırlanmışlardır. Hazırlanan filmler kuvvetli (002) tercihliyönelimine sahip olup grain boyutları 21-24 nm arasında değişmektedir. Optikgeçirgenlik spektrumlarında girişim saçaklarının gözlenmesi sebebiyle optikparametreler Swanepoel (1983) tarafından geliştirilen ve zarf eğrilerini kullananyöntemle hesaplanmıştır. Yapılan karanlık iletkenlik ölçümleri yardımıyla filmleriniletkenliklerinin sıcaklıkla değişimi incelenmiştir.iZnxCd1-xO filmler 100 kHz osilatör frekansına sahip püskürtme sisteminde, 0,1M'lık çözelti konsantrasyonunda ve 400 0C alttaş sıcaklığında hazırlanmışlardır. Bufilmlerin X-ışını kırınım desenlerinde hegzagonal wurtzite kristal yapısındakiZnO'ya ve kübik kristal yapıdaki CdO'ya ait pikleri görülmektedir. Başlangıççözeltisininin içindeki kadmiyum asetat dihidrat çözeltisinin miktarı arttıkça filmlerinoptik geçirgenlikleri azalmaktadır. Dalgaboyu 360 nm olan morötesi ışıklaaydınlatma yapılarak fotoiletkenlik ölçümleri yapılmıştır. Işığa maruz bırakılan birörneğin başlangıçtaki iletkenlik değerine dönmesi binlerce saniye almakta olupfilmlerden biri (x=0,02) negatif fotoiletkenlik göstermektedir. Negatif fotoiletkenlikaynı örnek üzerinde yapılan sıcaklık bağımlı karanlık iletkenlik ve aydınlık iletkenlikdeneylerinde de kendini göstermektedir. Üçüncü set örnek üzerinde yapılanfotolümünesans ölçümleri yardımıyla da ZnO ve CdO'nun banttan banda taşıyıcıuyarılma enerjileri tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study two spray pyrolysis system which have 2,4 MHz and 100 kHzoscillator frequency were constructed. After set-up home-made spray pyrolysisdeposition systems, great efforts were made to optimize the deposition conditionssuch as deposition temperature, air flow rate and distance between substrate andnozzle.Three group samples which are two ZnO and ZnxCd1-xO were prepared. Firstgroup ZnO films were deposited at 0,02-0,1 M solution concentrations (with 0,02 Mstep) and 250-500 0C substrate temperatures (with 50 0C step) by using homemade spray pyrolysis system which has the 2,4 MHz excitation frequency. Averageoptical transmissions of the films are above 85 % in the visible region. The opticalband gaps were calculated as 3,21-3,24 eV with the help of transmissionspectrum. Grain sizes, optical parameters and activation energies of the filmswere calculated prepared at 400 0C substrate temperature. Grain sizes of the filmshave values between 44-60 nm. Optical parameters were calculated by using themethod ?Pointwise Unconstrained Minimization Algorithm? PUMA developed byBirgin et. al. (1999) because of the absence any interference fringes. Darkconductivity measurements showed that semiconductor to metal transition occursbetween 411-427 K.The second group ZnO films were deposited at 0,02-0,1 M solution concentrationand 400 0C substrate temperatures by using spray pyrolysis system which has the100 MHz excitation frequency. The films exhibit strong (002) preferentialorientation and grain sizes of the films have values between 21-24 nm. Opticalparameters of the films were calculated by using the method developed bySwanepoel (1983) because of the optical transmission spectra of the films exhibitiiiinterference fringes. Dark conductivity measurements were carried out toinvestigate conductivity behaviour of the films.0ZnxCd1-xO films were prepared at 0,1 M solution concentration and 400 Csubstrate temperatures by using spray pyrolysis system which has the 100 MHzexcitation frequency. X-ray diffraction pattern of the films have both hegzagonalwurtzite ZnO structure and cubic structure CdO peaks individually. Opticaltransmission of the films decreases with increasing quantity of the cadmiumacetate dihydrate in the sprayed solution. The photoconductivity transients wereperformed with the illuminated light of 360 nm. After light cut off conductivitychanged slowly, and the delay time was over thousands seconds. One film of thisgroup films exhibits negative photoconductivity. Temperature dependence darkconductivity and photoconductivity measurements were performed and negativephotoconductivity effect also observed for the film x=0,02. Photoluminescencemeasurements were performed and ZnO and CdO bant to bant excitationsenergies determined.
Benzer Tezler
- Growth of magnetron sputtered superconductor MgB2 thin films
Mıknatıssal püskürtme ile üstün iletken MgB2 ince filmlerin büyütülmesi
SAVAŞ ULUCAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. LÜTFİ ÖZYÜZER
- Contrast enhancement by lateral inhibition in a sensory network.
Bir sensör ağında lateral inhibition yolu ile kontrast arttırımı.
ANIL COŞKUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. SERHAN ÖZDEMİR
DOÇ. METİN TANOĞLU
- Kargir yapı dış yüzeylerinde boya uygulamalarına yönelik sorunların belirlenmesi ve çözüm önrileri
Başlık çevirisi yok
S.MÜJDEM VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
MimarlıkYıldız Teknik ÜniversitesiMimarlık Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SEVİNÇ İPEKAR
- Havayla çalışan bir roket motoruyla taşıt tahriğinin incelenmesi
The Investigation of an air breathing rocket engine powered vehicle
MEHMET MERT ARICAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiOtomotiv Ana Bilim Dalı
PROF. DR. H. ERTUĞRUL ARSLAN
- Treatability of İstanbul Yenikapı discharge wastewater by chemical precipitation
Başlık çevirisi yok
DEMİR A. MÜFTÜOĞLU