Geniş band aralıklı ZnO'nun elektrokimyasal yöntemlerle tek kristal büyütülmesi
Single crystal growth of the wide band gap ZnO by electrochemical deposition
- Tez No: 181443
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnO, Elektrokimyasal büyütme, Tavlama etkisii, ZnO, Elektrochemical deposition, Annealing effectii
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Geniş ve direk band aralıklı ZnO ince filmi, büyütme parametreleri değiştirilerek Indium TinOxide (ITO) film üzerine elektrokimyasal işlemlerle büyütüldü. Yapılan denemeler sonucundaen kaliteli filmlerin, 0.1 molarlık Zn(NO3)2 çözeltisi kullanılarak, -0,9 V potansiyel altında 30 dksüreyle ve 5.2'lik pH değeri korunarak elde edildiği belirlendi. Bu şartların sağlandığı büyütmehücresi içerisinden O2 gazı geçirilerek çözeltinin oksijence doygun olması ve dolayısı ilebüyüme verimin artırılması sağlandı. Bu şartlar altında büyütülen filmler, tavlama işlemininnumunenin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması için, 3000C'de 30 dksüreyle azot gazı (N2) ortamında el yapımı bir tavlama fırını kullanılarak tavlandı. Tavlanan vetavlanmayan filmler üzerinde yapılan x-ışını kırınımı sonuçlarından, filmlerin (101) tercihliyönelime sahip oldukları ve tavlama işleminin (101) ve (100) piklerinin şiddetlerinde bir artışasebep olduğu gözlendi. AFM ölçümleri, tavlama işleminin, büyütülen filmlerin yüzeymorfolojileri üzerinde bir iyileşme olduğunu ortaya koydu. Soğurma ölçümlerinden ise tavlananfilmin yasak enerji aralığı 3,37 eV olarak ve tavlanmayan filmin yasak enerji aralığı 3,23 eVolarak hesaplandı. Yapılan ısıl uç metodu ölçümleri ile tüm filmlerin n-tipi iletkenliğe sahipolduğu gözlendi.2006, 50 sayfa
Özet (Çeviri)
ZnO thin films having wide and direct band gap were grown onto the conductive Indium TinOxide (ITO) substrates using electrochemical deposition technique, changing the growthparameters. The systematic studies have shown that the best quality films have been obtainedunder a potential of -0.9 V; a pH of 5.2 using a solution of 0.1 M Zn(NO3)2 in 30 min. To passoxygen gas through the solution during the growth process enhanced the growth rate and qualityof the samples grown on ITO. An anneal at 300ºC for 30 min under dry N2 flow in a home-made furnace has been carried out in order to investigate the possible effect of annealing on theoptical and structural characteristics of the samples. X Ray Diffraction (XRD) measurementswhich have been carried out on both the annealed and reference samples showed that allsamples have grown with (101) preferred direction and annealing caused a increase in the peakintensities of (101) and (100) directions. Also, Atomic Force Microscopy (AFM) measurementshave revealed that annealing process improved the surface quality of the samples. On the otherhand, it has been observed form the absorption measurements that the band gap values of non-annealed and annealed samples were 3.23 and 3.37 eV, respectively. The conductivity type ofthe samples has been determined to be n-type by hot-probe measurements.2006, 50 pages
Benzer Tezler
- Morötesi optoelektronik uygulamalara aday yarıiletken çinkooksitte olası tip dönüşümü ve bantaralığı değişiminin incelenmesi: Oksijen boşlukları ve kalay kusurlarının etkisi
An investigation of type convertibility and band-gap variation in zincoxide towards ultraviolet optoelectronic application: The effects of oxygen vacancies and tin defects
TACETTİN YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- A density functional study on narrow band GAP donor-acceptor type conducting polymers
Dar bant aralıklı verici alıcı tipteki iletken polimerlerin yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmesi
OZAN KARALTI
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ULRİKE SALZNER
- Carrier dynamics in silicon and germanium nanocrystals
Silisyum ve germanyum nanoörgülerde tasıyıcı dinamiği
CEM SEVİK
Doktora
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY
- TlGaS2 ve GaSxSe1-x kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TlGaS2 and GaSxSe1-x crystals
ÖZLEM NEVAL ÖZDEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYDIN GULUBAYOV
- Ankara ilindeki üç ilköğretim okulu öğrencilerinin epilepsiye yaklaşımı ve hastalık hakkındaki bilgi düzeyleri
Knowledge of epilepsy and attitudes towards the condition among three elementary schools students in Ankara
İKBAL OK BOZKAYA
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2006
Çocuk Sağlığı ve HastalıklarıGazi ÜniversitesiÇocuk Ruh Sağlığı ve Hastalıkları Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE SERDAROĞLU