Geri Dön

A 5.2 GHz RF combined power amplifier with fully integrated on-chip impedance matching Wilkinson power combiner and splitter

Empedans uyumlu Wilkinson güç bölücü ile 5.2 GHz birleştirilmiş güç kuvvetlendiricisi tasarımı

  1. Tez No: 178700
  2. Yazar: ERCAN KAYMAKSÜT
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. İBRAHİM TEKİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Sabancı Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Bölümü
  12. Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tezde 5.2 GHz Kablosuz Yerel Ağ uygulamaları için bir birleştirilmiş güç kuvvetlendiricisi tasarlanmıştır. Empedans uyumlu Wilkinson güç kuvvetlendiricileri kullanılarak yeni bir güç birleştirme yöntemi ortaya konmuştur. İki tane empedans uyumlu Wilkinson Güç kuvvetlendiricisi kullanılarak hem kuvvetlendirici katının giriş çıkış empedansı 50 ?'a uyumlaştırılmıştır hem de giriş gücü iki kuvvetlendiriciye bölünmüş ve iki kuvvetlendiricinin çıkış gücü toplanmıştır. Bu güç birleştirme tekniğini sınamak için 5.2 GHz de A sınıfı çalışan tamamen entegre bir güç kuvvetlendiricisi gerçeklenmiştir. Entegre edilmiş güç bölücü ve güç toplayıcı devreler ile güç kuvvetlendiricisinin kazancı 5.2 GHz de 5.21 dB olarak ölçülmüştür. 1 dB bastırma noktasında 22.4 dBm çıkış gücü ölçülmüş ve bu çıkış gücünde %17 katılmış güç verimliliği elde edilmiştir. Kırmığın toplam alanı yapılan ayrık eleman tasarımı sayesinde önemli oranda küçültülmüş ve 1.2mm x 1.25mm olarak gerçeklenmiştir. Similasyon sonuçları(Cadence) ile ölçüm sonuçları uyum içerisindedir. Tasarlanan güç kuvvetlendiricisi ve güç birleştirici/güç toplayıcı devreleri 5.2 GHz Kablosuz yerel ağ uygulamaları için uygundur.

Özet (Çeviri)

In this thesis a 5.2 GHz combined power amplifier is designed for Wireless Local Area Network (WLAN) application. A new on-chip power combining technique by using impedance matching Wilkinson power divider circuits will be presented. Two impedance matching Wilkinson power dividers are employed for matching the input and output impedances of the amplifier to 50 ? as well as splitting the input power into two amplifiers and combining their output powers. A 5.2 GHz fully integrated class-A mode combined power amplifier is designed in 0.35µ SiGE BiCMOS technology to asses the power combining technique for WLAN applications. The power amplifier with the on-chip lumped element impedance matching Wilkinson power divider circuits has a measured small signal gain of 5.21 dB. The output power at 1 dB compression point is measured as 22.4 dBm and the power added efficiency of 17% is achieved at 1 dB compression point. The chip area is significantly reduced by using lumped element impedance matching Wilkinson power dividers; the total die size is 1.2mm x 1.25mm, including RF and bias pads. The simulated (Cadence) and measured performance of Combined Power Amplifier are well matched. Thus the RF power amplifier and combiner/splitter circuits can be used for 5.2 GHz WLAN applications.

Benzer Tezler

  1. 2.4-2.7 GHz radyo-röle alt band çevirici tasarımı ve gerçekleştirilmesi

    Design and realization of a 2.4-2.7 GHz radiolink down-converter

    H.BÜLENT YAĞCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI

  2. Milimetre dalga boyunda yüzgeç hat karıştırıcı tasarımı

    Balanced finline mixer design in millimeter wawe band

    DEMET SEVİL ARMAĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU

  3. Fin hat yapısının analizi ve fin hat filtreleri

    Analysis of fin line structures and fin line filters

    AZİZ GEDİZ SEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. ERCAN TOPUZ

  4. Realization of a voltage controlled oscillator using 0.35 ?m SiGe-BiCMOS technology for multi-band applications

    0.35 ?m SiGe-BiCMOS teknolojisi kullanılarak çoklu band uygulamaları için gerilim kontrollü osilatör devresinin gerçeklenmesi

    AHMET KEMAL BAKKALOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Bölümü

    DOÇ. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  5. Hiperlan PPA design and realization

    Hiperlan PPA tasarım ve gerçeklenimi

    BURAK KELLECİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU