Geri Dön

Ultrasonik spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen cdo yarıiletken mateyalinin flor katkısına bağlı olarak yapısal özelliklerinin incelenmesi

The examination of the structural properties of semiconductor cdo material produced by ultrasonic spray pyrolysis method depending on the fluorine doping

  1. Tez No: 177403
  2. Yazar: HÜLYA TOSUN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MUHSİN ZOR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Sprey piroliz, X ışını kırınımı, Spray pyrolysis, X ray diffraction
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada katkısız CdO ve değişen oranlarda flor katkılı CdO yarıiletken filmleri spray pyrolysis (püskürtme yöntemi) yöntemiyle, 250 °C taban sıcaklığında ve cam tabanlar üzerinde elde edilmiştir. Elde edilen katkısız ve flor katkılı CdO yarıiletken filmlerinin x-ışını kırınım desenleri ?=1,541 Å dalgaboyluCuK? ışınları kullanılarak 20° ? 2? ? 70° açı aralıklarında elde edilmiştir. Filmlerin kristal yapısının polikristal oldukları ve kübik NaCl yapıda oluştukları belirlenmiştir. Kristal tane boyutlarının 4,685-4,726 Å aralığında değiştiği hesaplanmıştır. CdO:F filmlerinin absorpsiyon spektrumları 190-900 nm dalgaboyu aralığında ve oda sıcaklığında elde edilmiştir. Filmlerin temel absorpsiyon spektrumlarından yararlanılarak direkt bant geçişli oldukları ve yasak enerji aralığı değerinin 2,38 ve 2,83 eV arasında değiştiği görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, CdO semiconductor films with different fluorine concentrations have been produced at 250°C substrate temperature on to the glass substrates by the spray pyrolysis method. X-ray diffraction spectra of the produced undoped and fluorine doped CdO films have been obtained in the range of 20° ? 2? ? 70° by using CuK? radiation with the waveleght of ?=1,541 Å. Films have shown that the films so formed are polycrystalline and cubic NaCl in structure. The grain sizes of the films have been calculated between 4,685-4,726 Å. The absorption spectra of CdO:F films have been obtained at room temperature covering the spectral range 190 to 900 nm. CdO:F films have been determined to have direct band gap characteristisc with the band gap values lying in the range between 2,38 and 2,83 eV by using optical method.

Benzer Tezler

  1. Ultrasonik spray-pyrolysis yöntemi ile elde edilen Cd1-xSnxS filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of some physical properties of Cd1-xSnxS films produced by ultrasonic spray-pyrolysis method

    MEHMET PEKER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. M. SELAMİ KILIÇKAYA

  2. Al/SnO2/p-Si MIS diyotun elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Electrical and optical properties of Al/SnO2/p-Si mis diode

    ASLI AYTEN TAYŞİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE

  3. CuO:Zn filmlerinin ultrasonik püskürtmr tekniği ile ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    The production of CuO:Zn films by ultrasonic spray pyrolysis technique and the investigation of some physical properties

    MELEK ENGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FERHUNDE ATAY

  4. Cd1-xNixS filmlerinin elektriksel, optiksel, yapısal ve yüzeysel özelliklerinin incelenmesi

    The Investigation of electrical, optical, structural and surface properties of Cd1-xNixS films

    FERHUNDE ATAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. SALİH KÖSE