İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği
Hot electron dynamics in two and three dimensional III-V semiconductors
- Tez No: 176674
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalısmada iki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde elektronların yüksek alan tasıma özellikleri üzerine sıcak fonon üretiminin etkisi çalısılmıstır. Ortalama fonon sayısı ve etkin enerji durulma zamanının elektron sıcaklıgı ile degisimi teorik olarak incelenmistir. Ayrıca 300 K örgü sıcaklıgında ve farklı tasıyıcı yogunluklarında elektrik alanla sürüklenme hızının degisimi arastırılmıstır. ki ve üç boyutlu III-V yarıiletkenlerde, ortalama fonon sayısı artan elektron sıcaklıgı ile artmakta ve sıcak fonon etkilerinden dolayı etkin enerji durulma zamanı azalmaktadır. Sürüklenme hızı da elektrik alan ile artmakta ve artan fonon sayısı nedeniyle belli bir elektrik alan degerinde doyuma ulasmaktadır. Elde edilen sonuçlar, literatürdeki çalısmalar ile karsılastırılarak analiz edilmistir.
Özet (Çeviri)
In this work, the effect of hot phonon production on the high field transport properties of electrons in two and three dimensional III-V semiconductors has been studied. Dependences of the average phonon number and effective energy relaxation time on the electron temperature have been investigated theoretically. Additionally, the drift velocity versus electric field characteristics have been investigated for the different carrier densities at lattice temperature TL = 300 K. In two and three dimensional III-V semiconductors, the effective energy relaxation time decreases due to the hot phonon effects while the average phonon number increases with increasing electron temperature, we also show that the drift velocity increases with electric field and saturates at the certain electric field values due to increasing phonon population. The obtained results were also compared the previous publications.
Benzer Tezler
- Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors
III-V alan etkili transistörlerin monte carlo modellemesi
AYDIN TURABİ BAKIR
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Yarı öklid uzaylarda kuaterniyonik eğriler için Serret-Frenet formülleri
The Serret-Frenet formulae for quaternionic curves in the semi-euclidean spaces
ABİDE TUNA
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
MatematikSüleyman Demirel ÜniversitesiMatematik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. A. CEYLAN ÇÖKEN
- Yapılarında tricyclo (3,3,1,1) decane bulunduran bazı ilaç bileşiklerinin moleküler şekillenimleri ile dithiophosphonate türevi nikel kompleksinin kristal yapıları
The Molecular conformations of some drug compounds which have tricyclo (3,3,1,1) decane group and crystal structures of two dithiophosphonate nickel complexes
YUSUF ÖZCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEMRA İDE
- Afin ve projektif geometrinin aksiyomları
Başlık çevirisi yok
AHMET KÜÇÜK
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
MatematikKaradeniz Teknik ÜniversitesiMatematik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAVETTİN BİLİR