Geri Dön

SILAR tekniği ile büyütülen ZnS ince filmlerinin optiksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

The investigation of optical properties of ZnS thin films which is growth SILAR technique as a function of temperature

  1. Tez No: 170685
  2. Yazar: MEHMET ALİ YILDIRIM
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. AYTUNÇ ATEŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: ZnS, SILAR, SEM, XRF, Optik Soğurma, Yasak Enerji Aralığı, ZnS, SILAR, SEM, XRF, Optical Absorption, Bandgap 11
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi SILAR TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN ZnS İNCE FİLMLERİNİN OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN SICAKLIĞA BAĞLI OLARAK İNCELENMESİ M. Ali YILDIRIM Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Aytunç ATEŞ SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction) tekniği kullanılarak, cam ve kuartz taban malzemeleri üzerine oda sıcaklığında ZnS ince filmler büyütüldü. Büyütülen filmlerin yüzey görüntüleri ve elemental analizi SEM (taramalı elektron mikroskobu) ve XRF (X-ışını flöresans spektroskopisi) ile incelendi. Artan film kalınlığı homojen bir yüzeye neden olarak, iyileşmiş yüzey görüntüleri elde edildi. XRF ölçümü ile ZnS filminin oluştuğu belirlendi. ZnS ince filmlerinin, sıcaklığa bağlı olarak optiksel soğurma ölçümleri alındı. Filmlerin yasak enerji aralığının artan sıcaklık ile daraldığı gözlendi. Soğurma ölçümleri kullanılarak, soğurma katsayısının karesine karşılık foton enerjisi [a2 -hv) grafikleri çizildi. Bu grafiklerin eğiminden ZnS ince filmlerinin yasak enerji değerleri 3.64 eV'tan 3.84 eV'ta kadar bir değişim gösterdiği hesaplandı. Ayrıca, artan film kalınlığı ile filmlerin yasak enerji aralığının azaldığı bulundu. Film kalınlığının artması ile, filmlerin yasak enerji değerleri 3.77 eV'tan 3.61 eV'ta kadar bir değişim gözlendi.. 2005, 77 Sayfa

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Master Thesis THE INVESTIGATION OF OPTICAL PROPERTIES OF ZnS THIN FILMS WHICH IS GROWTH SILAR TECHNIQUE AS A FUNCTION OF TEMPERATURE M. Ali YILDIRIM Atatürk University Graduate School of Naturel and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Doç. Dr. Aytunç ATEŞ ZnS thin films were grown on glass and quartz substrates by using the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature. Surface morphologies and elemental analysis of grown films were characterized using SEM (scanning electron microscopy) and XRF (X-ray fluorescence spectroscopy), respectively. Increasing film thickness, causing a homogeneous surface, as resulted in improved surface morphology. The formation of ZnS film was determined by XRF measurement. The optical absorption measurements were carried out for ZnS thin films with changing the temperature. Bandgap energies of the films decreased as a result of increasing the temperature. Using optical absorption measurements, the absorption coefficient square versus photon energy [a2 -hv) graphs were plotted. From these graphs' slopes, the bandgap energies of ZnS thin films were calculated and the variation were observed from 3.64 eV to 3.84 eV. In addition, increasing film thickness, caused decreasing bandgap of films. With increasing film thickness, the bandgap energies of films had a variation from 3.77 eV to 3.61 eV. 2005, 77 Pages

Benzer Tezler

  1. Tez No

    333043

    İletken Zn1-xMg0.05AlxO ince filmlerinin radyasyon karşısında optik davranışlarının incelenmesi

    Investigation of optical behaviours of conductive Zn1-xMg0.05AlxO thin films against to radiation

    DOĞAN AKCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİLGÜN DOĞAN BAYDOĞAN

  2. Tez No

    571380

    Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells

    Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi

    ELİF PEKSU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ

  3. Tez No

    892123

    ZNS ve Cu2ZNS4(CZTS) ince filmlerin sentezi, karakterizasyonu ve optoelektronik uygulamaları

    Synthesis, characterization and optoelectronic applications of ZNSand Cu2ZNS4(CZTS) thin films

    ZEKİYE ABA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH GÖKTAŞ

  4. Tez No

    269348

    ZnS ince filminin sılar yöntemiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve sandiviç yapılarda kullanılması

    Characterization of ZnS thin film grown with silar method and use in sandwich structures

    OĞUZHAN ÖZAKIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYTUNÇ ATEŞ

  5. Tez No

    473185

    X-ray photoelectron spectroscopy analysis of magnetron sputtered Cu2ZnSnS4 based thin film solar cells with CdS buffer layer

    CdS tampon katmanlı mıknatıssal saçtırılmış Cu2ZnSnS4 tabanlı ince film güneş hücrelerinin X-ışını fotoelektron spektroskopi analizi

    AYTEN CANTAŞ BAĞDAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LÜTFİ ÖZYÜZER

Geri Dön